CH2变流电路基础.ppt

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现代电源技术 第二章 常用电源电路及其控制技术 2.1 电力电子器件 电源技术是电力电子技术的应用 电力电子器件是电力电子技术的基础 器件的功率损耗: 通态损耗、断态损耗、开关损耗、驱动损耗 电力电子器件的分类 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类: 单极型器件——由一种载流子参与导电的器件 双极型器件——由电子和空穴两种载流子参与导电的器件 复合型器件——由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件 常见的几种电力电子器件 电力二极管 晶闸管 电力晶体管 电力场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 电力二极管与PN结 PN结的单向导电性 PN结的反向击穿 当反向电压增加到一定电压时,反向电流急剧增大 晶闸管 门极触发:为了节省驱动功率,驱动信号通常采用脉冲信号----触发脉冲 晶闸管工作电压、电流高,功率大,使用中应注意的问题: 阳极电压上升率du/dt过高 阳极电流上升率di/dt过高 结温较高 电力晶体管 GTR特点:耐压高、通流能力强;电流驱动型器件,驱动功率大。 电力晶体管 GTR的二次击穿现象与安全工作区 一次击穿 集电极电压升高至击穿电压时,Ic迅速增大,出现雪崩击穿 只要Ic不超过限度,GTR一般不会损坏,工作特性也不变 二次击穿 一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升,并伴随电压的陡然下降 导致器件的永久损坏 安全工作区(Safe Operating Area——SOA) 最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线(二次击穿功率Psb = UsbIsb)限定 电力场效应晶体管Power MOSFET 导电特性: ? MOSFET的特点: 驱动电路简单,需要的驱动功率小 开关速度快,工作频率高 电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 MOSFET极间电容 MOSFET的驱动电路 栅源间、栅射间有数千皮法的电容,为快速建立驱动电压,要求驱动电路输出电阻小 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V,使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V 关断时施加一定幅值的负驱动电压(一般取 -5 ~ -15V)有利于减小关断时间和关断损耗 绝缘栅双极晶体管 IGBT( Insulated-gate Bipolar Transistor ) 功率模块与功率集成电路 器件的保护 对器件的保护有: 过电流、过电压、 du/dt 、 du/dt、栅极过压欠压等 IGBT过电流保护控制方法: 2),过电压保护 半桥电路 2.2 AC/DC变换技术 2.2 AC/DC变换技术 一、单相桥式全控整流电路 2. 带阻感负载 3. 带反电动势负载 单相全波可控整流电路 二、三相半波可控整流电路 a = 30? 时的波形 三、三相桥式全控整流电路 四、有源逆变 逆变的概念 逆变(invertion) ——把直流电转变成交流电,整流的逆过程 有源逆变 有源逆变产生的条件: 有源逆变电路 2.3 DC/AC变换技术 一、DC/AC 变换器的分类: 1,按负载分: 二、单相逆变电路 3,推挽式逆变电路 三、三相逆变电路 四、PWM逆变电路 PWM(Pulse Width Modulation)控制 —脉冲宽度调制技术,通过对一系列脉冲的宽度进行调制,来等效地获得所需要波形(含形状和幅值) 逆变电路的PWM控制方式 PWM波形的生成方法: 计算法 调制法 跟踪法 1,调制法 三相桥式PWM逆变电路波形 2, PWM跟踪控制法: 滞环比较方式的电流跟踪控制 特点: (1)硬件电路简单 (2)实时控制,电流响应快 (3)不用载波,输出电压波形中不含特定频率的谐波 五、 PWM整流电路及其控制方法 实用的整流电路几乎都是晶闸管整流或二极管整流 晶闸管相控整流电路:输入电流滞后于电压,且其中谐波分量大,因此功率因数很低 二极管整流电路:虽位移因数接近1,但输入电流中谐波分量很大,所以功率因数也很低 五、 PWM整流电路及其控制方法 PWM整流电路 把逆变电路中的PWM控制技术用于整流电路,是其逆向功率变换 控制PWM整流电路,使其输入电流非常接近正弦波,且和输入电压同相位,功率因数近似为1,也称单位功率因数变流器,或高功率因数整流器 PWM整流电路的工作原理 单相全桥PWM整流电路 逆变电路的方法对V1~V4进行SPWM控制,就可以在交流输入端AB产生一个SPWM波uAB PWM整流电路的工作原理 uAB中含有和正弦信号波同频率且幅值成比例的基波分量uABf ,以及和三角波载波有关的频率很高的谐波,不含有低次谐波 由于Ls的滤波作用,谐波电压只使is产生很小的脉动 当正弦信号波频率和电源频率相同时,is也为与电源频率相

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