AlxGa1-xAs%2fGaAs量子阱探测器的均匀性研究.pdfVIP

A1。Ga，．IA8，GaA8量子阱探测器的均匀性研究 郭献东刘天东魏永乐谢东珠李洪发 航天科技集团八院803所上海200233 摘要 本文报导了12 8×1元A1。Ga：0s／GaAs多量子阱探测器的均匀性研究。通过改进上下电 极之间的绝缘工艺．使探测器的均匀性明显提高，其电阻不均匀性小于7．4％，平均响应率 不均匀性小于10％，并获得清晰的手部热像。 1．引言 X128 AlxGa。，oslGaAs多量子阱焦平面阵列在十年来获得快速发展，从1991年的128 迅速发展到1997年双色640×480元。“’其原因是量子阱探测器是利用先进的分子束外延 (rmE)材料和成熟的GaAs工艺技术制作高均匀性的红外焦平面阵列。高均匀性是红外焦 平面阵列品质因数的主要技术指标，在一定的探测率条件下．红外成像的质量主要是由均 匀性决定的。”’由于国内对量子阱焦平面的研究起步较晚，因而均匀性仍然制约多量子阱 红外焦平面的发展。为此，我们开展了128×1元量子阱探测器的均匀性研究。 2．器件制造和测量 量子阱探测器是利用光刻．湿法刻蚀，聚酰亚胺、氮化硅绝缘，真空蒸发电极等工艺 制造的。影响器件均匀性的主要因素是上下电极之间的绝缘。图1是128元线列量子阱探 测器的示意图和像元结构截面图。图中上、下电极材料为Au／Au-Ge—Ni，上N+-GaAs厚度为 2．3um。上下电极之问使用氮化硅一聚酰亚进行绝缘。由于探测器台面结构，因而易出现上 下电极之间短路和阻抗变小的情况．影响了像元探测器的性能。分析其原因是绝缘层阻抗 小或局部有针孔，这样就会对延伸电极产生影响。我们利用晶体管特性图示仪测试伏一安 特性曲线可判断绝缘性能是否正常。图2为完好的绝缘结构电特性曲线。图3为绝缘层有 针孔．引起局部短路的曲线。图4为在下N+层上的绝缘层有小孔引起的局部短路曲线。图 5为绝缘层阻抗变低的曲线。 面 电极 鳓………圜熙陛 电极 Au／AuGeN 下电极 图1 上图为l28元线列GaAs／A1GaAs量子阱红外探测器示意图 下图为一个单元器件结构截面图 』 V2 V1 v 图3阱层绝缘层局部短 路测试曲线 睦v V1 V4 v 图4下N+层绝缘层局部 图5绝缘层阻抗低时测试 短路测试曲线 曲线 根据上述问题，我们采取了适当加厚绝缘层和采用多层绝缘，即氮化硅一聚酰亚胺绝 缘法，从而使暗电阻大小和均匀性明显提高。表1为2#128×1元探测器在3V偏压下测试 的暗阻．其暗阻不均匀性小于7．4％。该器件平均响应率的不均匀性小于10％。 表 1 探测器编号：2# 偏压I 1 l 2 l 3 I 4 l 5 l 6 l 7 I 8 l 9 | 1 0 3V 331．49338．98 373．60 323．28318．47 365．85360．58364．52 l l l l 334．82『329．31l l l l I 由于该器件的均匀性