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实验三：矩阵乘法及算法性能测试.pdf
中国科学技术大学六系EDA 实验室 eda@ustc.edu.cn
实验三 矩阵乘法及算法性能测试
一、实验目的：
1. 掌握CCS 开发的基本步骤。
2. 熟悉cmd 文件的含义及编写。
3. 掌握CCS 测试代码性能的方法：代码执行时钟数测试方式。
二、实验内容及步骤：
利用C 语言在 CCS 开发环境中实现两矩阵相乘的运算，并通过存储器查看
器，查看矩阵相乘的结果。矩阵乘法运算正确后，多次利用 CCS 剖析工具测量
矩阵乘法核心运算代码的运行时间，并计算比较每次测量的结果。
(一) CCS 中实现两矩阵乘法运算：CCS 工程的建立、设置及cmd 和c 代码编写
等
1．新建一个CCS 工程，将工程所使用的库文件添加到当前工程，库文件包
含rts.lib ，dsk5402.lib 和drv5402.lib 。
2 ．根据 TI TMS320VC5402DSK 片内和片外存储器资源编写 cmd 文件。
C5402DSK 具有 16K 字片上DARAM 和64K 字片外SRAM 可供程序和
数据存储。C5402 存储器空间的分配如下图所示：
扩展程序存储
Page 0 程序空间 Page 0 程序空间 数据空间
0x0000 0x0000 0x0000 0x0000 0x10000～
OVLY=1 保留 OVLY=1 保留 0x005F 存储器映射寄存器 0xF0000
OVLY=0 片外空间 OVLY=0 片外空间 0x0060
便笺寄存器
0x007F 0x007F 0x007F Page1~15
0x0080 0x0080 0x0080
低32k字
OVLY=1 片内DARAM 片内 DARAM
16K *16 位 片外
OVLY=1 片内DARAM OVLY=0 片外空间
OVLY=0 片外空间 0x3FFF 0x3FFF
0x4000 0x4000 Page0
片外存储器空间 片外存储器空间 64k字
0x3FFF 0xEFFF 0xEFFF
0x4000 0xF000 0xF000
片内 ROM存储器 DROM=1 ROM
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