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助 磊厶 财 许
响应率的仿真对比木
雷玮1，郭方敏1，陆卫2
(1．华东师范大学信息学院，上海200062。
2．中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海200083)
摘 要： 子在阱间连续隧穿电流；热辅助隧穿电流；热激发到连
对h10．15Ga0．85As，GaAs和仙．15Ga0．85A“GaAs
两种甚长波段量子阱红外探测器(QwP)响应率进行续态的载流子等。对低温工作的C1w口，主要是热激发引
计算．采用物理模型与等效电路模型，结合crossnght起的暗电流。热激发至连续态第嘞(y)载流子浓度为闭：
和Spice等软件详细表征了这两种C1w口s的吸收系数、
暗电流、响应率、量子效率等物理特性．结果表明随外 ‰2：专蜃，(E沙(Ey)阳 (1)
加偏压的升高呷的响应率增加，r=40K时，
hhldGao岱A妇AsQ唧的响应率明显比Ak】513ao岱As／GaAs
式中m‘。是阱内电子的有效质量，岛是量子阱的周期长
Qwm高出2倍以上，通过对量子效率的对比，使仿真结
果得到验证．
关键词： 量子阱红外探测器(QW职)；舢GaAs，Ga缸；
InGaAs，GaAs；吸收系数；响应率
中图分类号： TN215 文献标识码：A 妒，=毫唧[掣] ㈤
文章编号： 1001—9731(2007)增刊．0214．03
1 引 言 其中，E=昂一层l为截至波长仉)能量，肺=
兀IIl2ⅣDk，‰，为费米能级，ⅣD是阱中掺杂浓度，“为
自1977年Esald等人提出使用Al如a1鼻的aAs
呷以来，人们对它的研究在短波、中波、长波以及 阱宽。暗电流为： 毛=n山(VMD(功e (3)
甚长波(ⅥW琅：12岬)，都得到很好的成果【l棚】。二
。
≥￡中秒(y)=：∥F，√1+(∥F，％)2
元化合物GaAs材料的载流子输运相对三元化合物更
2．2光电流
好，Ga触为势垒的量子阱红外探测器很受青睐，1994 受到光照，呷s产生载流子在偏压作用下向电极
年Gunapala等人首先研制出hG蝴aAs有应力晶格匹
接触层漂移运动而形成光电流，其表达式为‘4】：
配的量子阱材料。当h组分工O．2时，hkGalo粥a触
突变异质结的势垒高度变得很低，而且应力小，很适合 掣喁P嘶。1)b州一砒w+ I
甚长波(14岫：1)量子阱红外探测器。并且hlGns，GaAs e一口(2Ⅳ一n)上w．叩一口(2Ⅳ一九+1)上w
，P(y)：岳1．Ily f(4)
QIWPs的二元势垒减少了合金散射效应【l】，相对于三元
Ⅻ一，屿，口(y)f
势垒的GaAs，MGaAsQIW口s可以期望更高的响应率。
P0为入射光功率，枷是光子能量，口为吸收系数，Ⅳ
为选择合适的器件材料、优化器件设计，对其物理
性能和灵敏度进行比较尤为重要。本文针对甚长波段 为量子阱个数，f为被激发的载流子寿命，简化方程(4)
得‘3】：
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