半导体湿法论文.docVIP

第一章　绪论 1.1　研究背景 半导体是一种导电能力介于导体与非导体之间的材料。半导体工业自1947年发明电晶体后，已经成为现代新兴工业的主流，由于技术的迅速成长与突破，使集成电路( Integration Circuit，IC )制造得以在短短的几十年间由单一的电晶体、电阻、电容等分离组件的组合发展到可以容纳数十个电晶体的小型集成电路 (SSI—Small Scale Integration，101)，中型集成电路（MSI—Medium Scale Integration，102-103）再经历至可容纳数十万个电晶体的大型集成电路 ( LSI—Large Scale Integration，104-105)，现今已经可以容纳数千万个电晶体的超大型集成电路 ( VLSI—Very Large Scale Integration，106-107 ), 甚至扩展到极大型集成电路（ULSI—Ultra Large Scale Integration，108-109）。这种发展速度是其它任何领域都无法与之相比的。 在半导体制程中湿蚀刻是一个非常重要的制程，湿蚀刻是利用溶液与薄膜经反应所产生的气态或是液态的生成物来执行薄膜分子的移除。因此，湿蚀刻的进行是没有固定方向的，即所谓的均向蚀刻（也叫等向性蚀刻）。湿蚀刻机台的作用就是利用化学的方法除去IC制程中在晶圆表面产生的各种污染物，包括：微小颗粒、金属离子、有机物和氧化层等。这一系统是由一系列的化学制程组合到一起而组成的一个自动化的湿式制程序列，从而高效率地清除上面提到的这些物质。 半导体制程中，为了保证好的良率，重要的一个环节就是对湿蚀刻机台中蚀刻用到的药液的温度进行控制，把其控制在一定的范围内，在特定的温度下蚀刻晶圆。））） 图2-1单晶硅切片示意图 由于半导体工业所制作的集成电路组件尺寸愈来愈小，在一块小小的芯片上，整合了许许多多的组件，因此在制作的过程中就必须防止外界杂质污染源，因为这些污染源可以造成组件性能的劣化及电路产品良率和可靠度的降低。一般污染源包括了尘埃、金属离子、有机物等。所以制作集成电路必须在非常洁净的环境下进行，尽量将污染源和晶圆隔离，一般提供洁净空气、控制尘粒数的空间我们即称之为无尘室。由于微小粒子就能引起微电子元件和电路缺陷，因此半导体芯片必须在无尘室中制造。随着图形尺寸的缩小，杀手微粒的尺寸也要跟着缩小。因此愈小的图形尺寸就需要纯净度愈高的无尘室。 一家先进无尘室的基本结构图2-2所示。无尘室的地板通常是挑高的孔状框型地板，以便气流能够垂直的流动到制程和设备区底下的区域。气流在回送到无尘室时，会先通过高效率微粒空气过滤器以去除气流所带的大部分微粒。为了降低成本，只有晶圆的制程区才设计拥有最高级的无尘室，设备区则拥有等级较低的无尘室，而大部分的辅助设备则不在无尘室内。 图2-2无尘室示意图 人体会散发出许多微粒也是钠元素的主要来源，而钠会造成移动粒子的污染。因此，在无尘室内的工作人员必须穿着无尘衣、无尘鞋，带手套、口罩、头罩。 在一间集成电路生产工厂中，进行晶圆制程的无尘室永远拥有最高的等级，因此在未完成所有制程之前，晶圆则不会离开这个区域。当晶圆被最后一道的钝化层密封住后，最后的光罩步骤与氮化物/氧化物蚀刻制程则把接合垫片或凸状连接座打开并将光阻剥除。此时便能将晶圆送到测试和包装区域以完成芯片的制作。 2.2　良率 良率直接决定了一家公司效益的好坏。在集成电路生产里，有三种不同的良率： 晶圆良率（Wafer Yield）：完成所有制程步骤之完好晶圆的数目与制作集成电路芯片所使用之晶圆总数的比值。 YW = 完好的晶圆数目 / 使用的晶圆总数 （2-1） 晶粒良率（Die Yield）：完成所有制程步骤所得之完好晶圆上的完好晶粒数目与晶圆上的晶粒总数之比值。（晶粒与晶圆关系如图2-3所示） 图 2-3 晶粒（die）和晶圆（wafer）关系图 封装良率（Package Yield）：完成所有封装步骤的完好芯片数目与封装的芯片总数之比值。 YC = 完好的芯片数目 / 芯片的总数 （2-3） 晶圆良率主要取决于晶圆的制程与处理。人为处理的疏失和机器机能失常或错误调整都会损坏易碎的硅晶圆。错误的制程或在晶圆上的过量粒子等，也都会损坏晶圆。和晶粒良率有关的因素则包括粒子污染，制程维护和整个制作步骤等。封装良率则与晶粒测试和最后的芯片测试间的金属线接合品质以及规格差异有关。 制造厂的整体良率（Yt）就是上述三个良率的乘积： Yt = YW × YD × YC （2-4） 工厂良率（Fab Yield）的定义是指完好的芯片数目和最初的芯