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维普资讯
第 8卷.第3期 电 子 与 封 装 总第59期
V018 NO 3 ELECTRONICS PACKAGING 2008年3月
封 装 、 组 装 与 测 试
封装外壳散热技术及其应用
龙 乐
(成鄙龙泉天生路205 1栎208室.成都 610100)
摘 要:微电子器件的封装密度不断增长,导致其功率密度也相应提高,单位体积发热量也有所增
加。为此,文章综述了封装外壳散热技术的基本原理 、最新发展及其应用,并简要讨论了封装外壳散热
技术的未来发展趋势及面临的挑战
关键词 :芯片冷却;散热器;热管理
中图分类号 :TN305,94 文献标识码:A 文章编号:168l1070 (2008)03—0006—05
HeatDisspationTechnologyandItsApplicationsinElectronicPackaging
LONGLe
(TianshengRoad205,1-208,Longquan,Chengdu610100,China)
Abstract:Asmicroelectronicdevicepackagingdensitybecomesmorecomplexandcompact,itspower
densityandamountofheatdisspationincreasescOrresp0ndinngly.Therefore,thispaperpresentsanover—
view oftheprincipleforheatdisspationtechnology,thenew developmentandapplicationofheatdisspation
arealsodiscussed,Abriefdisussionofthefuturetrendsandchallengesofpackageheatdisspationtechnol—
ogyarealsodescribed.
Keywords:chipcooling;heatsink;thermalmanagement
有专家预测 ,按 目前VLSI功耗的同一方法计算 ,未
来SoC芯片将有可能达到太阳表面温度。另一方面,
l 引言
器件的主要电参数及性能随温度变化而恶化,在封装
在微电子器件 巾,代表芯片特 的光刻线宽越 外壳结构的设计上,如果不能将芯片结温的热量及时
来越窄 ,达到45nm 以下 ,小 寸 、大电流和微弱 散发出去,抑制器件温升,将会产生过热或温度交变
的电压降,由此引发其发热率持续上丌,尤其足超大 诱生失效、热疲劳、热冲击 、裂片、烧毁、可靠性降
规模集成 电路 、功率器件、多芯片组件的集成度 、功 低等极其严重的影响一据统计,南热所引发的失效约
率密度不断提高,所消耗的功率会转化成热量,使器 占器件失效的50%以上:
件的结温上升。以计算机的巾央处理器CPU为例,从 纵观国内外近年来封装外壳散热技术的研发工
奔腾时代的功耗25w 、40w 、65W 上丌到奔4的 作 ,散热技术已成为封装设计与制作以及器件应用
103W c‘m。。~105W 。cm。数量级的高热流密度,需要
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