不同周期厚度的1 eV GaNAsInGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性.pdfVIP

中国科学：物理学 力学 天文学 2015年 第45卷 第3期：037001 《中国科学杂志社 SClENTIASINICA Physica．Mechanica＆Astronomica phys．scichina．com SCIENCECHINAPRESS 不同周期厚度的 1eVGaNAs／InGaAs超晶格太阳 电池材料的MBE生长和器件特性 王乃明①②，郑新和①③，陈曦①，甘兴源①，王海啸①，李宝吉①，卢建娅①，杨辉① ① 中国科学院苏州I纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学院纳米器件与应用重点实验室，苏州I215123； ② 中国科学技术大学纳米科学技术学院，苏州I215123； ③ 北京科技大学数理学院物理系，北京 100083 联系人，E—mail：xhzheng2OO9@sinano．ac．cn，xinhezheng@ustb．edu．cn 收稿 日期：2014—09．24；接受 日期：2014．11-18；网络出版 目期：2015—01—20 国家 自然科学基金 (批准号~11苏州市国际合作项 目(编号：SH201215)资助 摘要 本文采用分子束外延(MBE)生长技术，研究了周期厚度对高含N量 1eVGaNAs／InGaAs超晶格 的结构品质的影响．高分辨率x射线衍射(HRXRD)-~透射电镜(TEM)分析表明：当周期厚度从6nm (阱 层和垒层厚度相同，以下同)增加到20nm时，超品格的周期重复性和界面品质变好，然而当继续增加周 期厚度至 30nm 时，超晶格品质劣化．上述生长现象通过简单模型进行了分析讨论．同时，通过退火优 化，实现了周期厚度为20nm的1eVGaNAs／InGaAs超晶格太阳电池，短路电流密度超过 10mA／cm ． 关键词 GaNAs／InGaAs超晶格，分子束外延，周期厚度，太阳电池，快速退火 PACS：81．15．Hi，61．05．cf,88．40．H一，68．65．Cd doi：10．1360／SSPMA20】4．00367 与传统的III—V族半导体化合物不同，低含氮或 斯坦福大学在 1eV带边的GaInNAs基太阳电池研究 稀释氮化物半导体 Ga(In)NAs有巨大的 bowing参数 中取得 了突破，研究组采用分子柬外延(MBE)生长技 变化 (12—20eV)¨ 并且强烈依赖于 N 组分，只要掺 术，通过添加 Sb和使用 电磁场偏转板获得了高质量 入很少量 的 N，就表现 出较大 的带边收缩现象．自 的GaInNAsSb薄膜，制作的p—i．n太阳电池在 1240— 1996年被发展成一种长波(带边范围0．8—1．4eV)激光 870nm 问的短路 电流密度达 14．8mA／cm。8【]．由于该 器材料以来，其在垂直腔面激光器、探测器、太阳电 重大进展，2012年 10月，以该大学技术为依托的美 池等方面的潜在应用便受到了广泛关注 ’。1．在太阳 国SolarJunction公司在 GaAs衬底上采用MBE技术 电池方面，计算表明了利用带边为 1eV 的子电池代 生长的 GalnP／GaAs／GalnNAs(Sb)~=结太阳电池聚光 替常规GaInP／GaAs／Ge三结太阳电池中的Ge电池是 (947个太阳，光谱为 AM1．5D)下转换效率达到了 提升太阳电池转换效率的重要方案之一；2007年， 44％，为当时世界最高纪录 (http：／／www．sj．solar．com 引用格式：王乃明，郑新和，陈曦，等．不同周期厚度的1eVGaNAs／InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性．中国科学：物理学 力学 天文 学，2015，45：037001 W angN M ，ZhengX H，ChenX，eta1．MBE growth of 1eV GaNAshnGaAssuperlatticewith variousperiodsthicknessesandcorresponding photovoltaicresponse(inChinese)Sc