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第三章 電晶體 3-1 電晶體的分類與編號 電晶體分為二大類：雙極性電晶體BJT與場效電晶體FET。 雙極性電晶體的電流是由電子流和電洞流所構成。 BJT的三支接腳分別稱為射極E、基極B和集極C，基極的厚度最薄(約10-6m)，參雜濃度依序為E＞C＞B。 BJT是一種電流控制型的元件，由基極電流(IB)來控制集極電流(IC)，調整IB的大小就可以控制IC的大小。 BJT依構造不同，可分為NPN和PNP兩種，如圖3.1所示，NPN電晶體的多數載子是自由電子，PNP電晶體的多數載子是電洞。 場效電晶體的電流是由單載子所構成。 FET的三支接腳分別稱為源極S、閘極G和汲極D。 FET是一種電壓控制型的元件，由電壓(VGS)來控制汲極電流(ID)，調整VGS 的大小就可以控制ID的大小。 FET依通道的不同分為N通道和P通道，依構造不同分為JFET、DMOSFET和EMOSFET，如圖3.2到圖3.4所示。 常用的BJT編號： 日本系列編號 2SAxxxx ----- 高頻用PNP電晶體 2SBxxxx ----- 低頻用PNP電晶體 2SCxxxx ----- 高頻用NPN電晶體 2SDxxxx ----- 低頻用NPN電晶體 美國系列編號 2Nxxxx 先註冊者先編號，如2N2955為大功率PNP電晶體，2N3055為大功率NPN電晶體。 3、台製系列編號 CS9011 為NPN電晶體 CS9012 為PNP電晶體 CS9013 為NPN電晶體 CS9014 為NPN電晶體 CS9015 為PNP電晶體 CS9016 為NPN電晶體 常用的FET編號： (1) 2SKxxxx為N道FET，例如3SK30、2SK682等。 (2) 2SJxxxx為P道FET，例如3SJ19、2SJ130等。 3-2 電晶體的結構與電路符號 1. BJT電晶體電路符號及結構 2.BJT 接腳判斷 (1) NPN或PNP電晶體判斷：三用表轉至R×100或R×1k檔，測試棒接至三隻腳中的任二隻，若指針大幅偏轉，則兩個接腳中必有一個為基極(B)。 (2)E、B、C腳判別：找出基極之後，另兩腳一為集極C一為射極E，將三用表轉至R×1k檔，以NPN為例，黑棒接在假定的集極C，紅棒接在假定的射極E，然後用手捏住B和C，但兩隻腳不能直接碰觸，此時指針若有偏轉，則接腳的假設是正確的；如果指針不偏轉，表示接腳的假設是錯的，C和E接腳相反。(如果是PNP電晶體，手要捏住B和假定的射極E) 3. FET電晶體電路符號及結構 4.FET接腳判斷 (1)三用表轉至R×1k檔，G-S和G-D間具有二極體性質。 (2)三用表轉至R×10Ω檔，D-S間約有數百歐姆以上的電阻值，S-D間也是一樣。以N通道為例，將手指捏住黑色棒和閘極G，發現指針向右偏轉；交換黑色棒和紅色棒，再次捏住黑色棒和閘極G，指針亦會向右偏轉；在兩次測試中，指針偏轉較大的，黑棒所接者為D極紅棒所接者為S極。 3-3 BJT直流偏壓 1.電晶體的主要功用之一是將微弱的信號放大成較大的信號，而電晶體當放大器使用的前提是要有適當的直流偏壓。BJT放大器依其電路組態的不同，分為共射極組態(CE)、共集極組態(CC)和共基極組態(CB)三種。 (1)共射極組態(CE)：最常用 　　 a. 信號由基極輸入集極輸出，相位差1800。 b. 電流增益AI和電壓增益AV均大於1。 IC AI = β = ??? IB (2)共集極組態(CC)：射極隨耦器，阻抗匹配用 　 a. 信號由基極輸入射極輸出，相位相同，又稱為射極隨耦器。 b. 電流增益AI遠大於1，電壓增益AV略小於1。 c. 輸入阻抗大(Ri)輸出阻抗小(RO)，常作阻抗匹配之用。 d. 電壓增益約等於1，故常作為緩衝器使用。 IE AI = γ = ??? =(1+β) IB (3)共基極組態(CB)：高頻用。 a. 信號由射極輸入集極輸出，相位相同。 b. 電流增益AI略小於1，電壓增益AV遠大於1。 c. 高頻響應最佳，常與共射極組態組合成疊接放大器，很少單獨使用。 IC AI = α = ??? ≦1 IE 電晶體中不論是NPN或