冷氢化技术综述.docVIP

冷氢化技术综述 ????采用多晶硅工厂的副产物四氯化硅（STC）作原料，将其转化为三氯氢硅（TCS），然后将三氯氢硅通过歧化反应生产硅烷。 ???? 80年代初，为得到低成本、高纯度的多晶硅，又进行了一系列的研究开发。其中高压低温氢化工艺（以下简称冷氢化）就是一项能耗最低、成本最小的四氯化硅《STC》三氯氢硅《TCS》的工艺技术。? 90年代，为了提高多晶硅产品纯度，满足电子工业对多晶硅质量的要求，开发了高温低压STC氢化工艺，这两种工艺的比较如下： 项目名称 高温低压热氢化 低温高压冷氢化 操作压力：Bar 6 15～35 操作温度：℃ 1250 500～550 主要反应 SiCl4＋H2＝SiHCl3＋HCl Si＋3HCl＝SiHCl3＋H2 3SiCl4＋Si＋2H2＝4SiHCl3 优点 汽相反应；不需催化剂；连续运行；装置单一、占地少；易操作和控制，维修量小；氢化反应不加硅粉，无硼磷及金属杂质带入，后续的精镏提纯工艺较简单，提纯工作量小； STC转化率一般为（17%～24%） 流化床反应；三氯氢硅合成与四氯化硅氢化可在同一装置内进行，可节省投资；反应温度低、电耗低，单耗指标为≤1kWh/kg-TCS； STC转化率为20％以上； 缺点 反应温度高、电耗高，单耗指标为≤2.2～3kWh/kg-TCS； 加热片为易耗材料，运行费用较高，有碳污染的可能性。 ? 气固