激发电流对CoFeSiB非晶丝巨磁阻抗效应的影响.pdfVIP

激发电流对CoFeSiB 非晶丝巨磁阻抗效应的影响1 1 1 1 1 1 2 1 1 郝洁 ，强文江 ，刘春伟 ，郎玉婧 ，雍树军 ，黎文安 ，陈菊芳 ，孙光飞 1 北京科技大学材料科学与工程学院，北京（100083 ） 2 江门新会区科技有限公司，广东江门（529100 ） E-mail ：hityou.119@ 摘 要：用旋转水中纺丝法制备了直径为140µm 的Co68.15Fe4.35Si12.5B15 非晶丝，冷拔至75µm 后进行张应力退火处理，然后在Agilent 4294A 阻抗分析仪上测量非晶丝的阻抗在外磁场下 随激发交流电频率和振幅的变化。结果表明，样品在不同频率下表现出不同的巨磁阻抗效应， 随着电流频率的升高，样品的阻抗值增大，低频时(f 100kHz) ，样品阻抗变化率∆Z/Z0 随磁 场单调下降，高频时(f 100kHz) ，样品阻抗变化率∆Z/Z0 随磁场先增大后减小，出现峰值； 随着电流振幅的升高，(∆Z/Z ) 移向更低的场，且在I=16mA 时，(∆Z/Z ) 最大为174 ％。 0 max 0 max 关键词：非晶丝；巨磁阻抗；频率和振幅； 中图分类号：O482 文献标识码：A 1 引言 巨磁阻抗(Giant-Magneto-Impedance,简称 GMI)效应是指材料在高频交流电下表现出来 的交流阻抗对某个方向的外磁场的变化相当敏感的现象。1992 年，由日本学者 K.Mohri[1] 首先发现，由于其在微磁传感器和磁记录头方面巨大的应用前景，已引起了科技界广泛的关 [2,3] 注 。 GMI 效应来源于材料的磁导率随外加磁场的变化，可以用经典的电磁理论来解释[4]，高 频电流(f 100kHz)激发下的导体的阻抗 Z 是电流趋肤深度的函数，丝状导体的阻抗 Z 可表示 为： Z=R (ka)J (ka)/J (ka) dc 0 1 其中，R 为导体直流电阻，a 为导体的半径，J (ka)和 J (ka)分别为零阶和一阶贝塞尔 dc 0 1 函数，k ＝(1+i)/δ，δ＝ ρ/πfµ 为趋肤深度，ρ 为试样电阻率，f 为电流频率，µ 为圆周磁导 率。此时，阻抗 Z 的大小与电流频率f 和圆周磁导率µ 的平方根成正比，所以圆周磁导率µ 随着外磁场变化是 GMI 效应产生的主要原因。 材料的 GMI 效应可以用样品阻抗 Z 的相对变化值随外磁场的变化曲线来表征, 即 ∆Z/Z0=[Z(H)-Z(H=0)]/ Z(H=0) 。 2 实验方法 实验合金成分为 Co68.15Fe4.35Si12.5B15，按所需成分准备高纯度的 Co、Fe 、Si 和 B ，在氩 气保护下于非自耗式电弧炉中熔炼制备母合金锭。利用旋转水中纺丝法制备直径约为 140µm 的非晶丝，冷拔至 75µm，在竖式退火炉中进行张应力退火，退火温度为 480 ℃，张应力 σ ＝350MPa，保温 1 分钟。将处理好的丝取 15mm，在Agilent 4294A 阻抗分析仪上测量其在 不同条件下的阻抗变化，外磁场由一对亥姆霍兹线圈提供，非晶丝的轴向与外磁场平行，为 减小地磁场的影响，外磁场方向与地磁场垂直，测量在室温下进行。 1 本课题得到国防基础项目研究(A1420060203)的资助。 - 1 -