非晶丝SI效应的研究.pdfVIP

非晶丝SI 效应的研究 1 1 2 王潇睿 ，谭彧 ，韩跃 1 中国农业大学工学院，北京 (100083) 2 北京国浩微磁电子智能传感器技术研究所，北京 (100083) E-mail：wangxr_2004@ 摘 要：本文对非晶丝SI 效应（Stress Impedance Effects ）进行了初步研究，并提供了一种 有效的非晶丝 SI 效应研究实验方法，得出非晶丝在受轴向拉应力时阻抗的变化情况，为非 晶丝SI 效应的进一步研究和应用开发提供了重要的依据。 关键词：非晶丝，SI 效应 1．引言 非晶丝是一种新型软磁性合金材料，具有很高的强度及韧性。非晶丝两端加高频交流信 号或者高频脉冲激励，对外加应力非常敏感，随着外加应力的变化，阻抗发生明显地变化， 称为非晶丝的 SI 效应(Stress Impedance，应力阻抗效 应) 。非晶丝的阻抗灵敏系数可以达到 2000~4000 ， 远远优于其他材料[1][2] 。 ⎛ a ⎞ ⎜ ⎟ ( ) Z ⎜ R dc ωµ σ ⎝ 2 2 ρ ⎠⎟ 其中：Rdc ：直流电阻；a ：非晶丝半径； ρ ：电阻系数ω：震荡频率； 图 1 非晶丝 µ ：非晶丝圆周最大磁导率；σ ：外加应力。 表 1 非晶丝灵敏系数与其他材料对照表 材料 电阻丝 半导体材料 非晶丝 灵敏系数 ≤2 140 4000 本文主要对非晶丝SI效应进行了初步研究，得出非晶丝在受轴向拉应力时阻抗的变化情 况，并提供了一种有效的非晶丝SI效应研究实验方法。 2 ．非晶丝SI效应测试实验原理 通过测试实验研究非晶丝应力阻抗特性，采用 Co 基玻璃包覆非晶丝，玻璃包覆外径： Dgl=46.8µm ，除去玻璃包覆，非晶丝直径：dm=41.4µm，实验得到非晶丝在受到拉应力时阻 抗变化情况。 使用 Instron Microtester 5848 拉伸实验机给非晶丝施加轴向拉力，并通过 Instron 配套采 集设备，采集位移，载荷，输出电压，时间 4 个参数；通过信号发生器 Agilent 33250A 为非 晶丝提供正弦激励，激励频率f=1MHz，激励电压Ui=1Vpp ，R0=50Ω。其电路原理图如图2 [3] 所示 。 其中，检波器压降关系：U 0.979U −0.09033 。 o U U U 且 i ⇒ R R 0 R +R R U −U 0 i -1- U U t 1.0215 o +0.09227 1.0215 o ( ) +0.09227 R