GaN器件的LLC谐振变换器的优化设计.pdfVIP

第 l3卷 第 1期 电 源 学 报 Vo1．13No．1 2015年 1月 JournalofPowerSupply Jan．2015 DOI：10．13234~．issn．2095—2805．2015．1．21 中图分类号：TM46 文献标志码：A GaN器件的LLC谐振变换器的优化设计 马 焕 ，王康平 ，杨 旭，甘永梅 (西安交通大学电气工程学院，西安 710049) 摘要 ：首先介绍 了LLC谐振变换器的工作原理 ．详细分析 了基于增强型氮化镓 (eGaN)场效应晶体管的LLC谐 振变换器的开关过程。分析结果表明，通过调节死区时间可以避免GaN晶体管的反向导通．从而减小损耗：通过减 小高频功率回路 电感可 以减小功率回路的振荡。再对死区时间和功率回路布线分别进行 了优化 ，由于 GaN晶体管 栅源电压安全裕量很小，为确保器件安全 ，对驱动 回路布线进行优化 ；最后设计 了 1台输入 电压为48V、输 出电压 为 12V、输 出功率为 100W、开关频率为 lMHz的LLC实验样机 ，并进行 了实验验证。实验结果表 明，高频功率 回 路 电感从 5．6nH 降为0．4nH时，下管关断时的漏源电压超调 由l5％下降到 6．7％．另外驱动功率 回路采用单层布 线带屏蔽层的布线方式后 ，开关管的驱动 电压几乎没有振荡。 关键词 ：LLC；氮化镓器件 ；死区时间；寄生电感 ：布线 OptimalDesignofGaN-basedLLC ResonantConverter MA Huan，W ANG Kangping，YANG Xu，GAN Yongmei (SchoolofElectricalEngineering，Xi’anJiaotongUniversity，Xi’an710049，China) Abstract：Firstly，theoperatingprincipleofLLC resonantconverterwasdiscussedandtheswitchingtransitionof enhancement-modeGalliumNitride(eGaN)basedLLCresonantconverterwasanalyzedindetail．Theresultsshowthat thereverseconductionofeGaNtransistorscanbeavoidedbyadjustingthedeadtimeandtheoscillationofpowerloop canbedecreasedbyreducingthehighfrequencypowerloopinductance．Th enthedeadtimeandpowerlooplayoutwere optimized and thedrivinglooplayoutwascarefullyoptimized to ensuresafety ofGaN transistorsbecausethesafety margin oftheeGaN transistors’gate—sourcevoltage isvery smal1．Finally，a 1MHz， 100 W ，48 V／12 V LLC experimentalprototypewasbuilttoverifythedesign．Th eexperimentalresultsshow thattheovershootoftransistors’ drain—sourcevoltagewasreducedfrom 15％ to6．7％ whenthehighfrequencypowerloopinductancewasreducedfrom 5．6nH to0．4 nH．Inaddition，thetransistors’gate—sourcevoltages