镀膜光纤传感器ZnO压电层电沉积机理及结晶结构的研究.pdfVIP

。。。。。。牵 。 牵 。 理论探讨 。 牵 。 牵。。。。。。 镀膜光纤传感器 ZHO 压电层电沉积 机理及结晶结构的研究 周 雅，蒋利民，袁永瑞，梁 桂 （南昌航空工业学院材料科学与工程系，江西 南昌 330034 ） 要］ 研究了镀膜光纤传感器ZnO 压电薄膜电沉积的晶体结构的影响因素及沉积机理。 ［摘 试验表明，利用Zn（NO ）单盐水溶液体系可在铜基上进行阴极电沉积直接得到氧化锌膜。试验研究 3 2 了电沉积过程中电流密度、沉积温度、Zn2 + 浓度、p~ 值及沉积时间对氧化锌膜结构的影响，提出了一 套稳定、实用、经济的电沉积工艺参数为：电流密度4. 5 ~ 7. 0 mA / cm2 ，温度50 ~ 60 C ，反应时间10 ~ 20 min ，Zn2 + 浓度0. 10 ~ 0. 20 mOI / L ，p~ 值2. 0 ~ 3. 0 。通过循环伏安曲线对沉积反应进行了分析，考 察了结晶组成和晶体结构及晶粒尺寸。研究表明，搅拌对沉积影响不大。在最佳工艺条件下沉积得 到的ZnO 薄膜厚度为2. 8 ~ 3. 2 !m ，薄膜晶粒尺寸为0. 529 40 nm 。 ［关键词］ ZnO 薄膜；光纤传感器；阴极电沉积 ［中图分类号］ TO153 ［文献标识码］ A ［文章编号］ 1001 - 1560 （2005 ） 03 - 0001 - 05 0 引 言 开始研究电化学制备方法。用电化学方法在金属 基底上制备金属氧化物薄膜，具有如下独特的优 近年来，用光纤镀膜构成光传感器件的研究引 点：（1 ）由于电沉积是在低温镀液中进行，因此镀 起了人们极大的兴趣，而且越来越多地被应用于各 层不存在残余应力问题；（2 ）可在形状复杂和表面 种信号的采集、传输与处理，并正朝着仅由光纤和 多孔的基底上制备均匀的膜层；（3 ）通过工艺条件 其他光器件组成的全光系统努力。ZnO 薄膜是一 种新型的II VI 族宽禁带半导体镀膜材料，它所兼 （如电流密度、溶液p~ 值、电沉积时间、温度和浓 有的压电性、热电性和荧光性能使得它在雷达、通 度组成等）的调整，可精确控制沉积层的厚度、化 信等许多军用、民用系统中构成基础元件。近年来 学组成、结构及孔隙率等，容易获得较高的沉积速 它又逐渐在传感器件上得到广泛的应用，如气敏、 率；（4 ）电沉积所需设备投资少，原材料利用率高， 力敏以及压敏传感器等，因而沉积ZnO 薄膜的工 生产费用低，工艺简单，易于操作，环境安全，生产 艺日益成为研究的热门课题。目前报道得较多的 方式灵活，适用于工业化生产。 氧化锌薄膜制备工艺有：微波多极场ECR 等离子 但电化学制备方法的影响因素多，膜层微观结 体法，磁控溅射法（MSIP ），用低压 金属有机气相 构较难控制，而镀膜光纤的压电层的微观结晶结构 外延工艺（LP MOCVD ）沉积ZnS 再经热氧化法， 是决定声光相位调制器的关键性因素。这一难点 金属有机气相外延（MOCVD ）、分子束外延 使得采用该方法制备ZnO 薄膜难以推进到应用领 （MBE ）、脉冲激光沉积（PLD ）、水热法，喷雾热解 域，本