可消除时间延时积分型CMOS图像传感器中3管像素复位噪声的读出方法（英文）.pdfVIP

下载本文档

7
0
约2.59万字
约 8页
2017-08-11 发布于湖北
举报
版权申诉

可消除时间延时积分型CMOS图像传感器中3管像素复位噪声的读出方法（英文）.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

可消除时间延时积分型CMOS图像传感器中3管像素复位噪声的读出方法（英文）.pdf

第 48卷第 1期南开大学学报(自然科学版) Vo1．48 NO_1 2015年 2月 ActaScientiarum N aturalium UniversitatisN ankaiensis Feb．2015 ArticleID ：0465—7942(2015)O1—0077—08 A ReadoutSchemeAppliedinTDICMOSImage Sensorfor3T PixelResetNoiseCancellation XuChao，GaoJing，GaoZhiyuan，HanLiqiang，Ya0Suying (Schoolf ElectronicInformationEngineering，TianjinUniversity，Tianjin300072，China) Abstract：A readoutschemeisproposedforthecancellationofresetnoiseinathree—transistor(3T)time— delayintegration (TDI)CMOSimagesensor．A cross—row doublesamplingtechniqueisadopted，wherethetwo levelsperform ingsubtractionoperationcomefrom twodifferentrowsofpixels．Togetherwiththeoptimized rollingshutterscheme，theresetnoisecomponentcanbecancelled intheprocessofTDIaccumulations．The proposedschemehasbeenevaluatedbyasimulationandtheresultshaveverifieditsvalidity． Keywords：3T pixel；resetnoise；time—delayintegration；CM OS imagesensor CLC number：TN453 Documentcode：A 0 Intr0duction Time——delayintegration (TDI)imagesensorsareusedinapplicationswherealine——scansystem isre—— quired forhigh—quality，low noiseandhigh contrastimaging even underlow illumination conditions． TheTDIcamerashavebeen implementedforyearswith charge—coupleddevices (CCD)sensorswhere theTDIfunctionality isalmostintrinsicallyavailable[．RecentlytheCMOSTDIimagesensors (CIS) havebeenstudiedfortheiradvantagesofprocessaccessibility，reducedcost，robustnesstoionizingradi— ation．andsoonE23]．W ithregardtothesensitiveelementofaCIS，althoughafour—transistor(4T)pix— elcanachieve1owerdarkcurrentcomparedwiththree—transistor (3T)pixel，itneedsmorecustom im— plantsandoftensuffersfrom thecharge—transferproblem 。especiallyforaphotodiodeoflargesizeL ． The3T pixelisfreeoftheproblems，buttheresetnoise，mainlythekTC noise，couldnotbeeasilyre— movedb