单片微波集成电路无直流损耗型混频器MESFET模型研究.pdfVIP

单片微波集成电路无直流损耗型混频器 MESFET模型的研究 柯博林1，李春华2 1．浙江万里学院电信工程学院，宁波315100；2．浙江万里学院基础学院，宁波315100 摘要：本文对无直流损耗型MESFET混频器电路的工作原理及其特点进行了仔细的研究分析，通过对这 波段无直流损耗型MESFET混频器单片集成电路的设计和计算，混频器电路的计算结果为：变频增益 ， 一3dB。 关键词：MESFET混频器，单片微波集成电路，CAD 中图分类号：TN711 ResearchthemodelofMMIC MESFETMixer Non--Dissipative Keb0 chunhua2 linl。li 1．ElectronicInformation of Wanli College EngineeringZhejiangUniversity，Ningb0315100，China； 2．Junior ofWanli Ningb0315100。China College University onthe andcharacteristicof MESFETmixercircuithasbeendiscussedindetailin Abstract：Analysisprincipie Non—dissipative this researchofCADofthis of of theMESFETmodelhasbeenoffered．Onthe paper．During typemixer，the techniqueexpanding basis 12．4—18GHz MESFETmixerhavebeen mixer ofconversion above，the non—dissipative designed．Theperforms一3dB gain． Keywords：MESFETmixer，MMIC，CAD 1前言 卫星通信系统和其它微波电子系统都需要高性能的混频器，而降低混频器的无用功耗对于提高混频器 的性能起十分重要的作用。单片微波集成电路已经成为微波电子系统的主要设计方向，本文对单片微波集 成电路混频器的设计提出了一种新的设计方法。近年来，毫米波频段在军用和民用方面的优势正受到人们 的普遍重视。很多新系统已经或正在考虑利用这段频谱。在这类系统的收发模块中，最常用的毫米波部件 是混频器。它的作用是把高频信号变换为易于处理的中频信号。 在单片微波集成电路MESFET混频器的无用功耗中，直流电源的无用功耗占很大的比例，所以将MES． 作区城来达到了变频的目的，由于MESFET没有漏极直流供电，其静态直流功耗为零，因此称为无直流损耗 型MESFET混频器，它使降低电路的直流功耗成为可能。而对这类混频器的工作原理分析文献提及较少， 器需要研究的意义所在。 1182 ， 2无耗型MESFET混频器工作原理 0V情况，分析时需要处理MESFET转移特性中圪0部分。分析时作如下几点假设： 屯的表达式如式(1)所示。 (2)为了将问题合理简化，仅考虑MESFET的一阶变频产物。 (3)MESFET漏源之间对直流、本振以外的任何频率的大信号呈短路。