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张贺秋 等: 纳米粒子修饰 纳米线特性研究 Ag ZnO ０６０３５ 文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１５０６Ｇ０６０３５Ｇ０４ Ag纳米粒子修饰ZnO纳米线特性研究∗ , , 张贺秋 刘俊林 金 叶 　 ( , ) 大连理工大学 物理与光电工程学院 辽宁 大连 １１６０２４ : , 摘 要 利用水溶液法制备 纳米线 使用真空 方法用 对水溶液法生长的 纳米线进行表面修 　 　 ZnO Ag ZnO . . 热蒸发方法用 对 纳米线进行表面修饰 用场 饰 研究了 纳米线表面形貌的改变及 本身金 A ZnO ZnO A g g 发射扫描电子显微镜( )、 射线衍射( ) 属性质等对 纳米线在光学性能及场发射性能方 FESEM X XRD ZnO 、 、 . 仪 吸收谱仪分析它们的表面形貌 物相结构及光学性 面的影响 , . , 质 同时分析了其场发射性能 结果表明 随着Ag修 实 验 ２　 　 饰量的增加,ZnO纳米线表面上的Ag纳米粒子分布 , 会由稀疏逐步到致密 最后 Ag的纳米粒子几乎连在 ２．１　ZnO纳米线的制备及 Ag纳米粒子修饰 . 一起 测量吸收谱线发现修饰后的 ZnO纳米线的吸 ２．１．１　实验试剂 , , 收能力变强 但存在一个临界值 当修饰量超过临界值 首先用磁控溅射法在 ITO衬底上生长一层籽晶 , . , . 后 纳米线的光吸收能力会减弱 对修饰后 层 靶材为纯度为 的 陶瓷 将生长有籽 ZnO ZnO ９９．９９％ ZnO , 纳米线的场发射性能进行初步测试 结果表明适当量 晶层 的 ITO 衬 底 放 置 到 盛 有 ５０mL 等 浓 度 的 修饰可以有效降低 纳米线的场发射开启电 ( ) 和 溶液的反应釜 Ag ZnO ZnCHCOO ２H O CH N