一种用于安全芯片的高性能温度监测传感器设计【精选】.pdfVIP

2014年 第33卷 第 ll期 传感器与微系统(TransducerandMicrosystemTechnologies) 79 DOI：10．13873／J．1000--9787(2014)11--0079-03 一 种用于安全芯片的高性能温度监测传感器设计 刘文娟，赵毅强，李雪民，赵 国芬 (天津大学 电子信息工程学院，天津 300072) 摘 要：基于GlobalFoundry(GF)0．18 m标准 CMOS工艺 ，设计了用于安全芯片的高性能温度监测传感 器。该传感器利用PN结正向偏置电压与温度的近似线性关系监测环境温度变化，其集成度高、可靠性 高、功耗低，并且能够在宽温度范围内正常工作。测试结果表明：在一定温度范围(-50～140℃)内，其温 度系数为一4．47mV／℃，线性度 良好 ；当电源电压为3．3V时，功耗仅为10．04 w，满足安全芯片的设计要 求 。 关键词：信息安全；安全芯片；温度监测；PN结；正向偏置电压 中图分类号：TN492 文献标识码：A 文章编号：1000--9787(2014)11-0079-03 Design ofahigh performancetemperaturemonitoring sensorforsecuritychip LIUWen-juan，ZHAOYi—qiang，LIXue-min，ZHAOGuo·fen (SchoolofElectronicInformationEngineering，TianjinUniversity，Tianjin300072，China) Abstract：A highperformancetemperaturemonitoringsensorforsecuritychipisdesigned，basedonGF0．18Ixm standardCMOSprocess．ThesensorisdesignedbytheforwardbiasvoltageofPN junctionvaryingwith temperature approximately linearly to monitor ambienttemperature change，ithashigh integration density， reliabilityandlow powerconsumptionandalsocanwork inwidetemperaturerange．Testresultshowsthatintest temperaturerangeof--50—140℃ ．thetemperaturecoefficientis--4．47mV／~ withgoodlinearity．Whenpower supplyvoltageis3．3V，powerconsumption isonly10．04 W ，whichmeetsdesignrequirementsofsecuritychip． Keywords：infomrationsecurity；securitychip；temperaturemonitoring；PNjunction；fowrardbiasvoltage 0 引 言 进行实时供电，长期监测芯片状态。众所周知，电池只能在 近年来，随着半导体技术、计算机技术和网络技术的日 一 定的温度范围内正常工作，温度过高或者过低都会影响 趋成熟，移动通信、互联网以及各类便携式设备无不渗透到 电池输出电压从而导致芯片工作异常，引发新的安全问题。 社会的各个领域 ，由此引发的信息安全 问题开始受到研究 本文设计的温度传感器主要应用于安全芯片电池供电 者的重视。在国防和军事领域，信息疆域安