单晶硅各向异性对固结磨料线锯切片质量的影响.pdfVIP

中国机械工程第 19卷第 22期 2008年 11月下半月 单晶硅各向异性对固结磨料线锯切片质量的影响 高玉飞 葛培琪 赵慧利 张 磊 山东大学，济南，250061 摘要 ：将线锯切割单晶硅的锯 口形状近似为半圆槽 ，并将其理解为由许多平行于锯丝轴向的离散表 面组成，建立了固结磨料线锯切割单晶硅模型。通过保持锯丝两边锯切材料去除率的对称性 ，在单晶硅 的(100)、(110)和(111)三个晶面，选择不 同的锯丝切入方向，从理论上分析 了各向异性对线锯切割硅 片 质量的影响。分析得出：锯切(100)晶片和(110)晶片时，锯丝切入方向的改变不影响硅片表面质量 ；锯 切(111)晶片时，选择[1To]、[T1o]、[olT]、[oT1]、ETo1]和[1oT]晶向进行锯切 ，可有效提高晶片的全局 平面度，降低 晶片表面法线偏移量，降低硅片翘曲度，提高硅片表面质量。实验验证 了分析的正确性。 关键词 ：线锯 ；单晶硅；切片；各向异性 中图分类号 ：TQ164；TG74 文章编号 ：1OO4—132X(2008)22—2748一O5 StudyonEffectsofMonocrystallineSiliconAnisotropyoilSlicingWaferQualityUsing Fixed--abrasiveWil1eSaw GaoYufei GePeiqi ZhaoHuili ZhangLei ShandongUniversity，Jinan，250061 Abstract：Thekerrshapeformed duringfixed— abrasivewiresaw slicingmonocrystaIlinesilicon wasconsidered asa semi— circulargroove，and wasvisualized toregard asthatformed by many discreteplanesthatparalleltotheaxialdirectionofthewire．SOthemodelofwiresawingsiliconwafers wasfounded．TheeffectofcrystaIanisotropy on thewaferquality slicedbywiresaw was studied theoreticallyby choosing differentwire approach directions (W AD) based on maintaining the symmetryinmaterialremova1ratesonthetwosidesofthewire．Analyticalresultsofslicingthemost common(100)，(110)and (111)wafersarethatanyWAD canbechosenforslicing (100)and (110) crystalsthatwillnotinfluencesurfacefinish，butfor(111)wafer，therearesixWADsr110]，El10]， [011]，[011]，[101]and[101]thatcangivethewaferabetterflatnessandlesssurfacenormal deviationeffectively，henceimprovesiliconwafersquality．Andtheanalysiscorrectnesswasverifiedby experimentalresults． Keywords：wiresaw；monocrystaIlinesilicon；slicing；anisotropy 0 引言 结磨料线锯切割硅片的表面质量 ，而关于单 晶硅 半导体和光电产业的飞速发展要求单晶硅片 各向异性对线锯切割硅片质量影响的研究报道甚 向大直径和小厚度方向发展 ，对硅片的全局平面 少 。Bhagavat等_4研究 了各 向异性对游离磨料 度和微观表面质量的要求也越来