MEMS芯片正面结构释放时的保护.pdfVIP

维普资讯 第5卷 第4期 纳 米 技 术 与 精 密 工 程 VoJ．5 No．4 2007年 12月 NanotechnologyandPl噎 伽 Engineering Dec．20Or7 MEMS芯片正面结构释放时的保护 张筱朵，秦 明 (东南大学 MEMS教育部重点实验室，南京 210096) 摘 要：提 出了一种MEMS后处理中正面结构释放的正面保护方法．尤其是针对在CMOS-MEMS工艺制造单片集成 传感器时，MEMS后处理工艺中正面体硅湿法腐蚀时对 已制作完成的CMOS电路部分的表面铝 引线、铝焊盘和钝化 层下多晶层的保护方法．将一种新型的复合膜结构和优化后的TMAH腐蚀液相结合 ，可以保证长时间高温腐蚀时 腐蚀液不会渗透到钝化层下，同时完成正面MEMS结构释放．具有与CMOS工艺兼容、工艺实现简单等特点． 关键词：MEMS后处理；正面腐蚀；正面保护；正面结构释放 中图分类号：TN16 文献标志码 ：A 文章编号：1672-6030(21307)04．0335．04 ProtectionofthePadandtheStructuresonChipDuring Front--SideW etEtchinginMEM SPost--Processing ZHANGXiao—duo，QINMing (KeyIabomtoryofMEMSofMinistryofEducation，SoutheastUniversity，Nanjing210096，China) Abstract：A novelmehtodwasproposedtoprotectthepadandhtestructuresonchip duringfront—sidewet etchinginMEMSpo st—processing．Especiallywhensensorsarefabricatedwiht CMOS—MEMStechnology，wet etchingisusuallyusde inhtebulk—-siliconetchingwhilehtepadnadhtestructuresofhtefbaricatde CMOScir-· cultonchip needprotection．Thenovelmehtodofsuchprotectioncombinesfindingnew kindofprotecting filmswiht enhancinghtebailityofetchingsolutions ．Firstly，byusingTMAH solution， wiht siliconnad acertainoxidizingagentproperly，whichhardlyetchesaluminum，htepadnadhtestructuresonchip canbe protectedtosomeextent．Secondly，anew compositefilm Was designde topreventsolutionfrom seepingna d underminingpo lysilicon．Thereforewiht htenovelmehtod，htefront—sidemicro—structuresofhtechipswere successfullyreleasde wihtoutetchinghtepad．Th enovelmehtodiscompatiblewiht CMOStcehnology，nadCna be easilyrealized． Keywords：MEMSpo st-·processing；front—-sideetching；front-·sidepro