Φ300mm硅单晶生长工艺探究.pdfVIP

①300ram硅单晶生长工艺研究 吴志强张果虎常青方锋 万关良周旗刚 北京有色金属研究总院半导体中心100088 摘要：本文讨论了300mm硅单晶生长中新问题，分析了热对流、热场、拉晶工艺以及 设备控制对晶体生长的影响，磁场条件和设备稳定控制是0300ram硅单晶生长的基本条 件，热场配置和拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。 关键词：中300mm硅单晶热场配置挫晶工艺 随着器件集成度的提高，芯片面积越来越大，对于硅材料直径的要求也越来越大．现 如今200ram已成为主流产品，对0300mm硅单晶，世界各大公司对生产工艺和设备进 行了大量的研究工作，据报道已有cD300mm器件生产线建成。本文从单晶生长方面，分 析了300ram硅单晶生长的工艺特点。 1实验条件 件下拉制300ramP100硅单晶，氩气流量lIOL／min，炉室压力控制在18乇。 2实验分析及讨论 2．1热对流的控制 坩埚中熔体的热对流用格拉斯霍夫数表示： 2 V Gr=gB△TLLV 式中，g是重力加速度，13是熔体的热膨胀系数，L是坩埚半径，△T。是坩埚边沿和中心 的温差，V是熔体的运动粘滞系数。可以把格拉斯霍夫数看作热对流的驱动力。从式中可 以看出Gr和坩埚半径L三次方成正比，另外坩埚的增大，径向上的温差AT。也增大，所 以当坩埚直径为550mm时，格拉斯霍夫数Gr已超过湍流的临界值(3×107)，而在埚内形成 湍流。 为了控制热对流，我们采用磁场拉晶(MCZ)，FerrofluidicsCZl50型单晶炉带有钩形 ＼ 磁场，可以看到加磁场后，熔体热对流明显得到抑制。另外利用高埚转也能很好的抑制热 对流 2．2热场的配置 热场的配置是拉制无位错单晶的关键环节，等径生长过程中经常由于晶体中热应力超 过了硅的临界应力而产生位错，晶体中热应力与晶体生长的环境——热场有直接的关系。 轴向温度梯度不引起位错的条件分别是： B／b×dT／aZ≤1．／Gbr 式中，B是硅的热胀系数，b是柏格斯矢量的绝对值，G是切变摸量，t，是硅的临界应 力，r是晶体半径。由上式可以看出，晶体直径的增大，必然要求轴向梯度的减小，实验 过程中，我们加强热场的保温，保证单晶的无位错生长。 另外．热场设计中，我们把氩气流向作了改变，让氩气集中于热场中央流过。这是因 为，由于石英坩埚直径较大，晶体生长过程中形成挥发物较多，这样可以把大部分挥发物 一133 带走。 2．3石英坩埚和化料工艺的选择 拉制大直径单晶的过程中，石英坩蜗和化料工艺的选择很重要。由于热场的增大．加 热功率的升离，：k石英坩埚比小石英坩埚承受的温度高的多，熔硅和石英坩埚的反应更加 剧烈，增加了石英坩埚内壁方石英层的形成，这种方石英层的粒子容易脱落进入熔体中， 经过输运到生长界面引起位错。这就要求石英坩埚表面的清洁度要好，因为方石英斑点往 往在表面被污染处开始生长。在拉制大直径晶体中，我们发现如果石英坩埚质量不好，再 坩埚内壁会形成很厚的方石英，这种情况F很难拉出单晶。坩埚的软化点要高，否则坩埚 变软而下塌，发生严重的变形，造成拉晶困难，因此应选择纯度好而且软化点高的石英坩 埚。 在化料过程中，CZl50型单晶炉采用双加热器，即主加热器和底部附加热器，这样化 料过程中热源分布更加合理，有敬降低化料功率，避免石英坩埚局部高温。另外，对于质 量不好的坩埚，尽量用低功率化料，以弥补坩埚本身的不足。 2．4晶体生长工艺 2．4．1缩径工艺 缩径是拉制无位错单晶的根本环节，由于大直径单晶装料量大，单晶