P型GaN的渐变δ掺杂研究.pdfVIP

维普资讯 《半导体光电~2007年 12月第 28卷第 6期 邹泽亚 等 ： P型 GaN 的渐变8掺杂研究 P型GaN的渐变 6掺杂研究 邹泽亚 ，刘 挺 ，王 振 ，赵 红 ，赵文伯 ，罗木 昌 ，杨谟华 (1．电子科技大学 电子薄膜与集成器件 国家重点实验室，四川 成都 610054；2．重庆光电技术研究所 重庆 400060) 摘 要 ： 采用MOCVD技术及渐变6一Mg掺杂方法生长了P型 GaN薄膜 ，对样品进行 了两 步退火处理以对 Mg进行激 活。通过 Hall测试发现，经过 950℃下的第一次退火后 ，样品空穴浓 度为 1．64×10¨cm～，电阻率为 77．9Q ·cm。经过 750。C下的第二次退火后 ，样品的空穴浓度增 大 了1O倍 ，电阻率减小为原来的1／20。分析认为 ，渐变6掺杂减小了Mg的 自补偿效应，两步退火 提 高了Mg的激活效率 ，从而显著提高了样品的空穴浓度和降低 了电阻率。实验还发现 ，经过 750 ℃下 15min的第二次退火后得到 的样品的空穴浓度最大，达 5．13x10 cm 。 关键词 ： 渐变 6掺杂 ；Mg掺杂；P型 GaN；两步退火 ；MOCVD 中图分类号 ：TN3O5．3 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—5868(2007)06—0825—04 InvestigationonMg-gradual一dopingofGaN ZOU Ze-ya，I．IU Ting2，WANG Zhen2，ZHAO Hong3，ZHAO Wen-bo2，LUO Mu-chang2，YANG Mo-hua (1．StatekeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices，UniversityofElectronicScienceand TechnologyofChina，Chengdu610054，CHN；2．ChongqingOptoelectronicsResearchInstitute，Chongqing400060，CHN) Abstract： M g—gradual一6一dopinginGaN epilayersandtwo stepsannealingmethodtoactive Mg have been investigated by metalorganic chemicalvapor deposition． The influence of the second annealing time on the electricalproperty of p-GaN epilayers was studied by Hall measurement．TheHallmeasurementsshow thatafterthefirstannealingat950℃ ，thesample hasa hole concentration of 1．64 × 10 cm 。and a resistivity of 77．9 Q ·cm ． A tenfold enhancementinholeconcentrationandtwentyfolddecreaseinresistivityhavebeenachievedafter thesecondannealingat750 。C．ItisarguedthattheM g—gradual一6一dopingreducesMg impurity self—compensationandtwostepsannealing increasestheeffectivityofMg activation，enhancing holeconcentrationsin M g—gradual一6一doped GaN and reducing the resistivity．Theresultsshow thattheoptimum secondannealingtimeat750℃ iS15min。an