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超硬材料薄膜涂层研究进展及应用 吕反修 北京科技大学 摘要：CVD和PVD 应用，但仍然不能满足许多难加工材料，如高硅铝合金，各种有色金属及其合金，工程塑料，非金属材料，陶瓷， 复合材料(特别是会属基和陶瓷基复合材料)等加工要求。正是这种客观需求导致了诸如盒刚石膜、立方氮化硼 (c—BN)和碳氮膜(CNx)和纳米复合膜等新型超硬薄膜材料的研究进展。本文对这些超硬材料薄膜的研究现状及 T业化应用前景进行r简要的介绍和评述。 关键词：超硬材料薄膜，研究进展，工业化应用 1，超硬薄膜 金刚石膜(如采用真空磁过滤电弧离子镀技术制备的类金刚石膜(也叫Ta：c))也可归入超硬薄膜行列。 究结果表明其硬度可达10—50GPa，因此也归入超硬薄膜一类。上述几种超硬薄膜材料具有一个相同的特征， 他们的禁带宽度都很大，都具有优秀的半导体性质，因此也叫做宽禁带半导体薄膜。SiC和GaN薄膜也是 优秀的宽禁带半导体材料，但它们的硬度都低于40GPa，因此不属于超硬薄膜。 最近出现的～类超硬薄膜材料与上述宽禁带半导体薄膜完全不同，他们是由纳米厚度的普通的硬质薄 膜组成的多层膜材料。尽管每一层薄膜的硬度都没有达到超硬的标准，但由它们组成的纳米复合多层膜却 刚石的硬度。 本文将就上．述几种超硬薄膜材料～一进行简略介绍，并对其工业化应用前景进行评述。 2、金刚石膜 2 1金刚石膜的性质 金刚石膜从20世纪80年代初开始，一直受到世界各国的广泛重视，并曾于20世纪80年代中叶至90 年代末形成了。个全球范围的研究热潮(Diamondfever)。这是因为金刚石除具有无与伦比的高硬度和高 弹性模量之外，还具有极其优异的电学(电子学)、光学、热学、声学、电化学性能(见表1)和极佳的化 学稳定性。大颗粒天然金刚石单晶(钻石)在自然界中十分稀少，价格极其昂贵。而采用高温高压方法人 1二合成的工业金刚石大都是粒度较小的粉末状的产品，只能用作磨料和工具(包括金刚石烧结体和聚晶金 化学性能的町能性。经过20余年的努力，化学气相沉积金刚石膜已经在几乎所有的物理化学性质方面和 最高质量的IIa型天然金刚石晶体(宝石级)相比美(见表1)。化学气相沉积金刚石膜的研究已经进入工 业化应用阶段。 16 表t金刚石膜的性质 沣：·在所有L知物质中占第，¨在所有物质中占第二¨+与茵／L(Invar)台金相当 22金刚石膜的制备方法 化学气相沉积金刚石所依据的化学反应基于碳氢化合物(如甲烷)的裂解，如： 热高温、等离子体 CH4(g)--,xC(diamond)+2H2(g) (1) 实际的沉积过程非常复杂，至今尚未完全明了。但金刚石膜沉积至少需要两个必要的条件：(1)含碳 气源的活化；(2)在沉积气氛中存在足够数量的原子氢。除甲烷外，还可采用大量其它含碳物质作为沉积 金刚石膜的前驱体，如脂肪族和芳香族碳氢化合物， 乙醇，酮，以及固态聚合物(如聚乙烯、聚丙烯、 聚苯乙烯)，以及卤素等等。 Are Plasma 稳定性较好，易于放大，比较适合于金刚石自支撑膜的工业化生产。但由于易受灯丝污染和气体活化温度 较低的原因，不适合于极高质量金刚石膜(如光学级金刚石膜)的制各。微波等离子体cVD是一种无电极 放电的等离子体增强化学气相沉积工艺，等离子体与沉积腔体没有接触，放电非常稳定，因此特别适合于 高质量金刚石薄膜(涂层)的制备。微波等离子体CVD的缺点是沉积速率较低，设备昂贵，制备成本较高。 采用高功率微波等离子体CVD系统(目前国外设备最高功率为75千瓦，国内为5千瓦)，也可实现金刚石 膜大面积、高质量、高速沉积。但高功率设备价格极其昂贵(超过100万美元)，即使在国外愿意出此天 ArcPlasma 价购买这种设备的人也不多。直流电弧等离子体喷射(DC Jet)是一种金刚石膜高速沉积方