硅熔体Cz结构浅池内热毛细对流转变滞后特性.pdfVIP

中国工程热物理学会 传热传质学 2004年学术会议论文 编号：043143 硅熔体Cz结构浅池内热毛细对流转变滞后特性+ 李友荣1彭岚1吴双应。曾丹苓1今石宣之 1重庆大学动力工程学院，重庆400044 2日本九州大学先导物质化学研究所．I_=f奉福网 com TEL：023E—mail：liyourong@yahoo 摘要；为r，解水’r温度梯度作用时Czochralski(CZ)结构浅池内砖髂体热毛细对流的转变滞后特性， 利用有限差分往进行r非稳态三维数值模拟，坩埚外壁被加热．半干_}：为50ram．晶体半径为15mm， 液池深度为3mm，坩埚外壁与晶体生长界面温差变化范围为6-27K。模拟结果表明．当逐渐增加温差 时，在4产9K处．二维轴对称流动转变为三维稳态流动．在AT=206K处，三维稳态流动转变为兰维 振荡流动：当逐渐减小温差时，拄AT=19 5K处．三维振荡流动才转变为三维稳态流动，因此．二次流 动转变存在滞后．滞后温差约为llK。 关键词：热毛细对流，硅熔体，数值模拟．热流体波，滞后精十哼 1，弓i言 在熔体晶体生长过程中．熔体的对流运动对晶体材料的质量具有至关重要的影响。 在微重力环境或浅液层内．热毛细力是引起熔体对流运动的主要原因．而且，当沿自由 表面的温差超过某一临界值后，熔体的运动将会变为菲稳定的振荡运动。在过去的几十 利用CCD摄像仪观察到了硅单晶CzocIlralski法生长时熔体表面的暗线，用实验方法证 实了热毛细对流从二维轴对称流动向三维流动的转变：Yi等【21完成了三维数值模拟， 发现了硅熔体表面非对称温度分布的存在，并且认为Rayleigh．Benard和(或) 时硅熔体表面的热波，并且发现热波周向运动速度总小于坩埚旋转速度，但随坩埚旋转 速度的增加而增加：Azami等【4】实验观察到了3mm和gmm浅液层内硅熔体表面轮型的 运动．他们认为由于表面张力温度梯度引起的热毛细对流在决定三维流动和轮型的轮数 上起着重要的作用；最近，我们进行了CZ结构浅液层内热毛细对流过程的三维数值模 拟【5】，发现了热毛细对流过程的二次转变，即随着温差的增加，二维轴对称流动首先转 变为三维稳态流动，然后转变为三维振荡流动。为了了解CZ结构浅液池内热毛细对流 过程的转变滞后特性，本文进行了一组三维非稳态数值模拟，模拟坩埚外壁与生长界面 温差变化范围为6．27K。 2．物理数学模型 物理模型如图I所示．晶体半径为r，=15 mm，坩埚、}{争为r。=50mm，硅熔体深度 教育部留学H困人员科研启动基金资助项目 74 为d=3mm．坩埚底部绝热，自由边界为不变形的平表面且绝热，结晶界面温度为疋=％。 坩埚壁维持恒温h(TNT(．)。为简化起见，假定1)硅熔体为不可压缩流体，除表面张 力外，满足Boussinessq近似：2)流动为层流：3)在自由表面考虑热毛细力的作用，而 在其它固壁表面满足无滑移条件。 在上述假定条件F控制方程可写为： VV=0， (1) 竺+矿．v矿：一上vP+vV2y， (2)、+ at D 望+y．甲71=av2丁， (3) at 边界条件如F 图1物理模型 自由界面(z=d，r．(，奇。)： 一一警哳等，一p警嘞焉·唧，誓一o(4a-d， 结晶界面(产d，O，^)： 昨=p≯y庐O，7--『(=7’m． (5a-d) 底部(z=0，0rr。)： 坩埚侧壁(Fk0