ULSI铜布线阻挡层Ta CMP及抛光液的研究.pdfVIP

维普资讯 显微、测量、微细加工技术与设备 Microscope，Measurement，Microfabrication ＆ Equipment ULS 同布线阻挡层TaCMP 及抛光液的研究 武亚红 ，刘玉岭，马振国，王立发 ，陈 景 (河北工业大学 微 电子研究所，天津 300130) 摘要：ULSI多层铜互连线中，由于Cu与Ta的硬度不同带来抛光速率的差异，使得在 CMP过 程 中各种缺陷如碟形坑缺陷、磨蚀缺陷板易发生。研究分析 了Ho、有机碱对 Cu和 Ta抛光速 率的影响，并进行 了不同抛光液配比的试验。实验证 明，在温度为 30℃、压力0．08MPa，转速 60r／min、抛光液流量为 160mL／min、抛光液成份为 V (H2O2)：V (有机碱)： (活性剂)： (螯合剂)=5：15：15：25时，抛光速率一致性较好，能够有效降低碟形坑的出现几率；Cu、Ta的 抛光速率均为500nm／min左右，实现 了CMP的全局平坦化。 关键词 ：铜互连线；阻挡层 ；化学机械抛光 ；抛光液 中图分类号：TN405．97；TN305．2 文献标识码 ：A 文章编号：1671-4776 (2007)12-1078．04 ResearchonBarn。erLayerTaCMP andSlurryontheCopper MultilayerInterconnectioninULSI WuYahong，Liuruling，MaZhenguo，WangLifa，ChenJing (InstituteofMicroelectronics，HebeiUniversityofTechnoloay,Tianjin300130,Chi Abstract：IncoppermuhilayerinterconnectionofULSI，thedifferenceinpolishingspeeds，causedby thedifferenthardnessofCuandTa，leadstotheeasyoccuranceofvariousflawsintheCMP process， suchasdishingsanderosions．TheinfluenceofH202andorganicalkalionthepolishingratesofCu and Ta were analysed， and severalexperimentswith differentproportions ofslurry were made． Experimental resultsshow thatundersuchconditions：30oC，0．08Mpa，rotationalspeedof60dmin， flowratesof160mL／min，polishingslurryconcentrationratioofV (H2O2) ：V (organicalkali) ：V (activeagent)：V (chelatingagent)：5：15：15：25，theuniformityofpolishingratesbecomebetter，the occurnacepropability of dishingsiseffectivelyreduced．nad1he unifomr ratesofCu andTa is approximately500nm／min，thusrealizingtheglobalplanarizationofCMP． Keywords：copperinterconnection；barrierlayer；chemicalmechanical；polishingslurry PACC：8160 1 引 言