VLSI互连线频变K参数和频变电阻的有效提取算法.pdfVIP

维普资讯 第 l1期 电 子 学 报 V01．35 No．11 2O07年 11月 ACrA ⅡEC佃 oMcA S姗 cA Nov． 2007 VLSI。互连线频变 K参数和频变电阻的有效提取算法 曾 姗，喻文健，张梦生，洪先龙，王泽毅 (清华大学计算机科学与技术系，北京 100084) 摘 要：在GI-lz以上高频集成电路中，必须考虑互连线的电感寄生效应，以便对电路性能进行准确的分析和验 证 参数矩阵(部分电感矩阵的逆)由于其较好的局部化特性，被广泛接受并应用于对互连电感效应进行建模．但多 数已有文献未考虑高频效应或效率不高．本文提出一种新的三维频变 参数提取算法，通过与窗口技术相结合、以及 窗口内线性方程组的有效求解，该算法具有较高的计算效率，同时，在此基础上，通过少量额外运算还可得出频变电 阻．数值实验表明，该算法可处理复杂的互连结构 ，并且在保持较高准确度的情况下，其速度比电感提取软件 FastHemy 快几十至几百倍． 关键词 ： 电感提取；K参数；高频；VISI 中图分类号 ： TN47 文献标识码： A 文章编号： 0372-2112(20o7)l1-2072．06 EfficientExtractionoftheFrequency-DependentK Element andResistanceof VLSIInterconnects ZENCShah，YUWen-jian，ZI-IANCMeng-sheng，HONGXian-long，WANGZe-yi (D甲 删 of 明 Sce／nceandTechno／ogy，办 咖 Un／vers／ty，8e]／~ng100084Odna) Abstract： Intheintegratod circuitswithfrequencyaboveseveralGI-Iz，parasiticinductiveeffecthasextremelyinfluencedthe circuitperformance．Therefore．effioem algorithmsarerequh~ tOexaactthefrequency-dependentparameterswhichcapllllethein- ductiveeffect．TherecentlyproposedKelement(inverseoftheparaalinductance)hasagoodlocalizationproperty，andhasbeen widelyacceptedforthemodelingofparasiticinductance．However．mostpreviousworksonreluctanceex~actino didnot high f~qunocydfectintoaccountandwerenoteffidem enoughfor3-D complexslructure．Inthispaper，asetofalgorithmsareproposed toexl／actthefrequency-dependentK dementandresistanceof 3D interconnects．Withaw~Aowingtechnique ，adirectK extraction algorithm，nadimprovementsno solvingequationswithinthewindow，hteproposedme htodisableothandlecomplexintercnonect $~llCRlresveryefficient