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双层金属布线工艺通孔侧壁生成物对策 饶祖刚路红刚 首钢日电电子有限公司 邮政编码100041 摘要：在采用舣层金属铝布线工艺的CZ4产品试生产过程中，作为两层金属布线问连接的于f 孔，通孔的刻蚀是一个难点。本文阐述了作者对通-fL羽J蚀过程q1孑L侧擘生成物形成机理的 一些见解，并根据自己的分析对侧壁生成物的去除进行了研究，找到，适台于本公司生产 线的彻底去除侧壁生成物的方法，最终获得了最佳的通孔断面形状。 通孔(Though№]e)侧壁生成物(Side—wall 关键孚：多层布线(№lti-layerWiring) DepositiOn) l、引言 在集成电路制造过程中，随着集成度的增加，对微细化的要求也越来越高，并相应的 要求布线多层化。多层化布线的成功与否很重要的一个环市是是否能做好提供布线问连接 的通孔。CZ4是NEC具有双层金属铝布线的逻辑电路产品设计，它的通孔是连接第一层铝 布线与第二层铝布线间的开孔(如图一l所示)。在通孔刻蚀时，侧壁会产生生成物，这些 生成物若有残留，则会导致通孔电阻大等异常，从而导致产品异常。 iCL棚N，丌 TEoS iC“TiN／Ti 图一1通孔形状示意图 在NEC各基地产品试生产及制造过程中，通孔侧壁生成物的去除是长期围绕着的中心 改善课题之一，也是通孔刻蚀的难点之一。我们这次在CZ4通孔刻蚀条件给出过程中，参 照了NEC其他基地的条件，但没有得到满意的断面形状(如图—2(a)，(h)所示)。为此，我 们进行了的分析，并在此基础上安排了相应的实验，得到了满意的效果。 。Si。d。e。-w。ia。ill。凛 誓蔷■__■■-■■■■—■■■■● (a)NEC基地I条件下的通孔形状 (b)NEC基地2条件下的通孔形状 图一2NEC其他基地条件F的通孔形状 2、侧壁生成物的形成 I)、通常接触孔刻蚀过程中生成物的形成 通常在进行接触孔刻蚀时，主要刻蚀的对象是层问氧化膜，并使用CF4、CHF3、Ar等 气体的混合气体来进行刻蚀、形成侧壁保护。其中，CF4是主要的刻蚀反应气体．它解离 255 产生的活性的F木起主要的刻蚀作Hj。 CF4一Ci…3十r}十e十 Cm—CF3一C2F6÷ Ar是起气体稀释、增加碰撺儿牵等作瑚的添帅气体，它对膜的刻蚀土要体现为溅射刻蚀(即 通过碰撞产生劾蚀作用)。币』气体中的f、肌．f．则是在刻蚀过稃中形成生成物的主要气体。 CtlF3一C心rI” 在该反应牛成物中，HF没有刻蚀作川，』酊CF2处于不饱手u冉。状态，容易形成一(CF2)n一链． 并与其它成分结台在～起形成聚台物，这种聚台物住砬片表面覆盖，对刻蚀起阻拦1作瑚(如 矧一3所示)。 PhotoresIsl磁g彩}；}； BPsG———-弋 一 裟Deposi吲tiosnt三翼缪F／／／／／／／／2 SiOr S1二r—“4L一～一 Poly (a)刻蚀开始时形成的生成物 (h)刻蚀结采时形成的生成物 图一3接触孔刻蚀时形成的生成物示意图 在氧化膜刻蚀过稃巾，离子的