SiN纳米梁谐振器制造工艺研究.pdfVIP

微米／纳米JJn-r技术 中国微米纳米技术学会第十一届学术年会 SiN纳米梁谐振器的制造工艺研究 卓敏P，朱健卜2，刘梅1，贾世星1 l、(南京电子器件研究所，南京，210016) 2、(单片集成电路与模块国家级重点试验室，南京，210016) 纳米梁谐振器是某一维度上的特征尺度小于lOOnm纳米级谐振器。纳米梁谐 振器以其超小的体积与质量，超低的功耗，超高的灵敏度，体现了NEMS器件的优 越性。纳米梁谐振器有望广泛应用于单电子电量、单分子质量等物理量的检测， 高灵敏度生物、化学传感器等不同领域。 本文研究了纳米级固支梁谐振器的制造工艺技术，研究利用电子束光刻和 MEMS工艺相结合的纳米制造技术，开发出干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的纳米固 支梁结构的制造工艺，形成纳米梁谐振器自上而下的制造工艺技术。 纳米梁谐振器结构层材料采用SiN，牺牲层材料为Si02，掩膜材料为A1。为 了获取纳米结构尺寸，保证线条的纳米级尺寸精度，采用电子束光刻用于形成干 法刻蚀的掩模结构。电子束光刻采用高灵敏度和低灵敏度双层胶，优化胶结构， 形成有利于剥离的倒梯形掩模金属结构，保证结构的边缘齐整和尺寸精度。电子 束光刻后，通过剥离工艺形成纳米梁结构图形。 为了获取纳米梁结构，需要去除牺牲层材料Si02，首先采用ICP去除上层的 结构层材料SiN，刻蚀气体为CF4和02。采用ICP亥lJ蚀可以通过调节下电极功率 调节等离子体的方向，减小对于结构层材料的侧向刻蚀，通过调节上电极功率减 小等离子体对于结构层的轰击效应，减小刻蚀过程对于结构的损伤。通过工艺试 验，刻蚀气体流量CF4：150SCCM，02：10 SCCM，上电极功率600W，下电极 40W。 在湿法腐蚀牺牲层Si02释放纳米梁结构的工艺中，需要考虑对纳米梁结构的 低损释放，同时减小湿法腐蚀可能带来的线条损失，通过选择合适的腐蚀液配比， 调节腐蚀液的浓度，腐蚀温度和腐蚀时间。其中A1掩膜材料起到缓冲腐蚀的作用， 对于结构层保护作用。通过工艺试验，Si02腐蚀液采用5：1BHF溶液，腐蚀温度 40℃， 腐蚀时间90sec。 纳米梁谐振器制造工艺流程见图1。本文设计的纳米梁谐振器的尺寸，梁厚 150nm，梁宽80nm，梁长7．2um，其中梁宽是最关键的工艺尺寸。采用该流程制造 lnm。 的纳米梁谐振器的SEM图见2，测试的梁宽为84．1 综上所述，基于电子束光刻、干法和湿法腐蚀相合工艺技术可有效控制结构 纳米尺寸精度，减小结构的损伤，用于制造纳米梁谐振器。【正文字数：822字】 参考文献(附主要参考文献格式)： Materials 1：228-231 [1]MeiLiu，JianZhu，etc，Advanced Research[J]，2009，Vols60—6 REU Research [2】CaitlinBurger,NNIN Accomplishments[J]，2005，PP．8—9． and [3】B．1lic ofapplied H．GCraighead，Jounalphysics[J]，2004，95，PP．3694·3703． [4]R．H．Blick，A．Erbe，H．Krfmmer，etal，PhysicalE6[J]，2000，PP．821．827． 1 A一210 微米，纳米加I拉术 中国微米纳米技术学会第十一届学木年会 [●E (a)存4英寸硅叫片r(b)用PECVD淀腆低应血(r0涂胶，采用曲脎胶结 牛5i02牺牲培 Sl、结构层 杜』，电子束光刻 严彳?严’ l————————