AlInN生长条件对表面形貌与In组分的影响.pdfVIP

第七届中国国际半导体照明论坛 7thChina ForumonSolidState International Lighting AIInN生长条件对表面形貌和In组分的影响 曲爽1 2 2，王成新2，李树强12，徐现刚1 1山东大学晶体材料国家重点实验室济南市山大南路27号250100 2山东华光光电子有限公司济南市天辰大街1835号250101 摘要：本文使甬MQCVD方法．在蓝宝石衬底上通过GaN过渡层进行7A／InN薄膜的生长．并研究7生 长温麦秘生长医力对其表面形貌秘In组分钧影响。生长温度变化的研究表明，在一定温度范垦内．降低生 长温度司以获得更高的In组分。当生长温麦为13时．In组分为17．5％，sGaN实现7晶格匹配，当生 长温度为T1时。由于张瘦力。A／InN发生开裂；通过研究生长压力发现，在一定医力范围内．降低生长压 力霹以获得更佳的表面形貌。最终．使甬压力P3。温度13生长的AtlnN薄膜覆量最佳。 关键词}MocvD；A|lnN 引言 曲，使异质结界面更加陡峭，可以形成浓度更高的 近年来，GaN材料做为第三代宽禁带半导体的 二维电子气。 典型代表受到了广大科研工作者的广泛关注【1一。 GaN基LED被认为是最有希望取代白炽灯和荧光为主，因此，MOCVD法生长AIInN的基本条件的 灯的第三代照明光源。GaN材料有其独特的优点， 研究就显得尤为重要，尤其是温度和压力等基本参 如禁带宽度较宽、耐高温、适合在恶劣环境下工作， 数的研究。本文用MOCVD法在蓝宝石衬底上通过 但是由于其晶体结构本身的非对称特点，在GaN GaN过渡层生长了AIInN材料，并对其温度和压力 材料的C轴方向存在极化电场13】。 进行了研究。 常规GaN-LED的多量子阱(MQW)材料为 InGaN／GaN超晶格，当LED的激发光波长控制在 一、实验 460nm附近时，需要的InGaN中的ln组分大约为本文实验使用的样品是用MOCVD的方法制 16％。由于InN与GaN的a方向晶格常数差异较备的，使用的衬底材料为蓝宝石，衬底单面抛光， 大(alnN=0。355nm，aGaN=0．319nm)，因此InGaN 和GaN之间存在晶格失配，该晶格失配导致MQW蓝宝石衬底进行1050度的高温清洗，去掉表面的 中产生了压电极化效应，使电子和空穴的波函数发 杂质与氧化物，然后生长厚层GaN材料，生长的 生分离，降低了LED的内量子效率。另一方面， GaN材料厚度约为4um，最后在GaN层表面生长 GaN．LED的电子阻挡层一般采用AIGaN材料，由AIInN材料，厚度约1 于压电极化效应，AIGaN和GaN界面的能带会发长压力为P2的条件下分别将生长温度定为T1、T2 生弯曲【4】，导致AIGaN对电子的阻挡作用减弱，非 辐射复合几率增加。基于上述原因，需要一种与 品2和样品3。然后在固定生长温度为T3的条件 GaN晶格匹配的材料来用作GaN．LED的垒层和电下，将AIInN生长压力变化为P3和 子阻挡层，AIInN材料便首先被想到。根据维格定 律，当AIInN中的In组分为18％时，AIInN与GaN5。对生长后的样品进行表面形貌的原子力显微镜 是晶格匹配的，而此时AIInN的禁带宽度与GaN 相差0．8eV，高于AIGaN，因此AIInN可以满足上 变化对AIInN表面形貌和In组分的影响。 述LED对垒层和电子阻挡层材料的要求。 另外，除了LED方面的应用，AIInN还被看做二、结果与讨论 是HEMT的潜在材料。由于与GaN没有晶格失配， 图1是在生长压力为P2时，不同生长温度下 AIInN／GaN的界面不会由于压电极化发生能带弯 96 www．china-led．net www．sslchina．org