不同取向生长(ZrSn)TiO4薄膜介电性能研究.pdfVIP

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2017-08-10 发布于安徽
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不同取向生长(ZrSn)TiO4薄膜介电性能研究.pdf

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第30卷增1 压电与声光 Suppl．No．1 2008年6月 PIEZOELECTECTRICSACOUSTOOPTICSJun．2008 文章编号：1004—2474(2008)S1—0020—03 仇萍荪，程文秀，何夕云，郑鑫森，曾霞，丁爱丽 (中国科学院上海硅酸盐研究所，上海200050) 和表面形貌进行了研究。研究了不同取向生长ZST薄膜低频下的介电性能．发现取向生长对薄膜的介电性能影响较大．(111)择优取向生长的薄膜的介电性能要好于(200)择优取向生长的薄膜。在100kHz的频率下(111)和 (200)取向生长的薄膜介电常数分别为38和30．介电损耗在100kHz的频率下分别为0．0069和0．015。关键词：(Zro．·，Sno．2)Ti0．(ZST)薄膜；磁控溅射；取向；介电性能中图分类号：TB43 文献标识码：A· and ofVarious ThinFilms PreparationProperties Orientation(Zr，Sn)Ti04 Ai-!i QIU Wei—xiu，HE Xia，DING Ping-sun，CHENGXi-yun，ZHENGXin-sheng，ZENG of of InstituteCeramics，Chinese 200050tCld∞) (Shanghai AcademySciences，Shanghai filmswere on Abstractl(111)and(200)orientation(Zro．。．Sno．o)TiO,(zsIT)thinPt／Ti／Si02／Si(IOO) grown andthesurface ofZSTthin subsrrates microatructure byradio-frequencymagnetronsputtering．The morphology filmwasstudied diffractionandatomicforce dielectric of(111)orientation byX-ray microscopy．Theproperties filmwerebetterthanthatof(200)orientation．Thedielectricconstantanddielectric (Zro．¨Sno．1)TiO,(ZST)thin lossof(111)and(200)orientation研thinfilmsat100kHZwere38and30．0．0069and0．015 respectively． film；RF Keywords：(Zro．s，Sno．2)Ti0·(ZST)thinsputtering!orientation；dielectricproperties 随着科学技术日新月异的发展，通讯信息量的的掺杂改善其介电