硅基多芯片组件工艺技术的研究.pdfVIP

硅基多芯片组件工艺技术研究 刘建华，刘欣、叶冬、罗驰 巾国电子#擞篓团公司第一1日研究所．重庆400∞O 摘要：介绍7硅基多芯H组件(MCM．Si)的工艺流程和基蕾结构，并对其工艺特征厦关键工 艺因素进fi-7研究．硅多层布线厦兼容焊盘，凸量的[IBM结构、厚胶光剖、女}料凸点电镀及凸 点回流成型、芯片凸点倒装焊等基础I艺是堆苣。通过大量的研究，基本建立7可应用于高可靠， 高性能、小型化混合电路MCM—Si工艺技术平台。在谵平台上研制的样品已通过H级可靠-陛摸底 试嘧，其产品应用正在推厂中． 关键词：硅基多层基板；焊料凸最，凸点下金属化层，厚胶光刻，微电镀 引言 技术的==|==断普及，以及满足混合集成的硅基多层布线技术的开发，硅基多芯片组件(MCM-Si)技术受到 很大的重视．到1990年代中后期，MCM．Si技术得到广泛的应用，该技术制作的产品，尤其适用于军事和 宇航等高可靠性领域的电子装黄中。 用硅作为基板材料制作的MCM．与其他基板材料相比，具有阻下优点：①通过热氧化硅表面，形成 ：鲺化硅，将隔离电容成批制作井集成在硅基板r{·，在MCM电路中．电容集成后可减少顶层芯片键合面 秘的20％。@电阻和有源器件也可在硅中单独制作。③通过高掺瓤高导电性硅基板)，硅基扳可以起接 地层的作用，免击金属化(通孔上艺)。@硅蛳和硅Ic芯片材料性能完全匹配。@硅的热导率比氧化 铝陶瓷高得多。@硅易于用锚或其他金属进行金属化。 MCM-si工艺技术的应用具有很大的吸引力。针对国内混台集成电路领域，硅基薄膜工艺技术起步较 晚、水平较低和可靠性不高的现状，迫纠需要从基础工艺入手进行技术开发以满足MCM技术发展需要。 2工艺基本结构及工艺流程 21工艺基本结构 硅基多芯片组件[芝的基本结构如阁I所示。 彩； 圈 戊划州{ L艺基本结构囝 H】McM．SI 2．2工艺流程 MCM毒i鞋型产品制作的J=艺漉程l-要柯硅薄膜多层互连基扳制蔷．如具有内制芯片可采用薄膜技术 制作凸点芯片(焊料凸点或An凸点)，其他元器件(晶体管或片式电阻、电容、电感等)的准备：采用 SMT或FCB等微连接工艺进行微组装；进行测试后进行气密封装；最后经过严格的电路筛选，考核等形 成MCM．Si产品。其主要工艺流程如图2所示。 一、 ／———、、 登H嘴靳)一／ ＼…／ 图2 MCM-Si产品工艺流程图 (1)焊料芯片凸点制作的典型工艺流程 (2)硅基薄膜多层互连基板制作的典型工艺流程 刻2-÷腐绌A10】_光刻3_腐蚀NiCr,PF_L-WD AICu，PEL-WD 刻9-÷电镀CIl-+电镀Ni_电镀Au_去胶_腐蚀Cu_÷腐蚀nw一背面金属化一划片。 (3)硅基薄膜电路的微组装流程 电路组装采用硅基板凸点倒装焊(F(=B)、SMT组装和引线键合(、VB)兼容的装联技术(见图3)。 片式元件和基板入壳采用SnPb焊料焊接；倒装焊为焊料凸点回流爆到管壳引脚的引线互连采用25微米越 丝键合。其工艺流程为：组装准备一清洗_贴装元件_倒装焊芯片_焊接入壳_回流焊-÷清洗_÷键合一测 试-+封帽前处理_封帽。 3工艺特征及关键工艺 实现MCM—Si结构的主要工艺由硅基薄膜多层布线及多层金属化焊盘基板制作技术、硅芯片凸点制作 及凸点芯片测试技术、硅基板凸点倒扣焊和引线键合兼容的装联技术、硅基薄膜MCM电路CAD设计和 版图设计技术组成。研究的MCM—Si产品所用倒装焊凸点芯片，在本所自产的硅集成电路晶圆片上制作。 多层布线及多层金属化焊盘基板采用低阻硅材料，对需要接地良好的产品，以体硅接地的方式实现接地。 产品微组装采用SMT、WB和FCB相结合的装联技术完成。芯片凸点的UBM结构选择、基板金属化层制 作和倒装焊的焊接质量是决定MCM．Si产品是否能实用化的关键因素，其可靠性水平决定了产品的可