A1与C共掺对MgB2超导电性的影响.pdfVIP

第37卷 增刊4 稀有金属材料与工程 V01．37，Suppl．4 RARE 2008 2008年 10月 METALMATERlALSANDENGINEERIKGOctober Al和C共掺对MgB2超导电性的影响 杨烨1，周杰悌1，张勇1，C．H．Chcn92，赵勇1’2 (1．磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室，西南交通大学超导研究开发中心，西南交通大学，四川成都610031) ofMaterialsScienceand ofNewSouth (2．School Engineering，UniversityWales，Sydney2052，NSw，Australia) 摘要：研究了在MgBz超导体中，Al、c以及这两种元素共同掺杂时对样品的超导转变温度、不可逆场、以及临界电 流的影响。研究发现，当掺杂电子量相同时，Al掺杂比c掺杂对超导电性有更强的抑制作用。当A1、c共掺时，对于 相同的掺C量，Al的掺杂作用减缓c掺杂对瓦的抑制作用。同时C掺杂可以有效的提高MgB2超导体在高场下的临界 电流密度，Al，C共掺和单独掺c的两组样品中掺C都有相似的行为特性。 关键词：MgB：；临界电流密度：超导电性 中图法分类号：05ll 文献标识码：A 文章编号：1002-185X(2008)$4-087—04 提高低场下的性能，C掺杂提高了高场下的性能，当 1 引 言 两种原素共同掺杂可以提高在整个外场条件下的临界 简单金属化合物超导材料MgB2，自2001年发现以 来引起了科学界的广泛关注【ll。MgB2超导体同传统超杂可以提高在低场下MgB2超导材料的临界电流密 导体相比，它具有较高的超导转变温度(瓦=39K)、可 度，本次工作研究了，当AJ和C共掺时对MgB，超导 以在制冷机温区实现应用，避免了成本高昂的液氦制 材料的超导转变温度、临界电流密度、不可逆场等超 冷设备的限制，同高温超导体相比，又具有相干长度 导电性能以及晶体结构等的影响。 大(5～6 rim)、晶界连接紧密、晶体结构简单、原料成 2实验方法 本低廉和成材容易等一系列的优点，因而MgB2超导 体是目前被认为最有可能首先实现大规模工业应用的 用固相反应法制备了不同z，y值的 超导材料。另一方面，由于其较高的超导转变温度(39 K)，是目前已经发现的金属化合物超导体中瓦最高 的，因而引起了基础科学研究者的广泛兴趣。用化学 Al粉(99％，10um)和无定形B粉(99．9％，100nm) 掺杂的方法，在Mg位或B位用其他的原素替代来改 以及石墨粉(99％，10弘m)按化学剂量比混合，在保 变MgB：超导体的晶体结构，研究其超导性能的变化， 护气氛下充分研磨混合均匀，研磨过后的粉末在lO 寻找其超导电性产生的基理是较为常用的方法。目前 MP压强下压制成直径为10mm高约为6mm的圆柱 形块材，将其密封在铁盒子中，放入管式炉中以800 最多被报导的是Al对Mg位的掺杂和C对B位的掺 ℃烧结，保温lh后随炉冷却到室温，整个烧结过程 杂。许多研究都发现，Al和C都能掺入MgB2超导材 料的晶格，形成Mg】。Al，B2或MgS2。C，合金【M】。另在氩气保护下进行。样品的微结构由XRD进行表征。 外，A1和C都为电子掺杂，它们的掺入对超导电性具 烧结后的样品，切成立方小块用于磁测量，典型的样 品尺寸为2minx2mmxl 有抑制作用。另～些原素也被用来做MgB2超导体中 mm。磁测量是在Q