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高压和常压下合成Mg1.05-z(HgO)zB2的性能研究.pdfVIP

高压和常压下合成Mg1.05-z(HgO)zB2的性能研究.pdf

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第37卷 增刊4 稀有金属材料与工程 V01.37,Suppl.4 2008年 lO月 RAREMETALMATERIAI,SANDENGINEERING October2008 崔雅静1,陈永亮1,杨烨1,潘敏1,王法社1,张勇1,洪时明2, C.H.Chen93,赵勇13 (1.磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,超导研究开发中心,西南交通大学,四川成都610031) (2.高压物理研究所,西南交通大学,四川成都610031) ofMaterialsand (3.School Science ofNewSouth Engineering,UniversityWales,Sydney2052,Australia) 的影响。在两种不同的反应条件下制备的样品,超导转变温度随掺杂量的增大都有一定幅度的下降,但晶体结构和临 界电流密度(五)则有显著的不同。常压下HgO掺杂可使上降低,而高压下一定量的掺杂则使工增大。由扫描电镜结 果分析可得,高压下制备的样品晶粒问联系紧密,尺寸较小,从而使其临界电流密度、不可逆场和钉扎力等性能都优 于常压下制备的样品。 关键词:MgB2;超导转变温度;临界电流密度;HgO掺杂;高压合成 中图法分类号:0511.3 文献标识码:A 文章编号:1002.185X(2008)S4.038.04 用HgO作为反应的初始原料。近年来,有关在MgB2 1 引 言 中掺稀士氧化物的报道也较多,但是HgO具有较低的 自2001年发现MgB2的超导转变温度高达39KlI】分解温度的特性,使其对MgB2样品产生了不同的掺 以后,世界各国学者对其在实验和理论方面都进行了 杂效果。本研究中分别在高压和常压下制备了 全面的研究。有关掺杂效应对其晶体结构及超导电性 的影响,以声子为媒介的超导机制,双能隙的本质等 后对样品性能的影响。样品在晶体结构,超导转变温 各方面研究广泛【2】。掺杂和高压两种方法是探究超导 度,临界电流密度,最大钉扎力,不可逆场都在不同的条 机理的有效方式。在过去的几年中,有关MgB2掺杂件下发生了不同的变化。 的工作已有很多,但是通过化学掺杂改变其超导性质 2 实验方法 的方法是较为有限的,任何一种元素的掺杂都有一定 将高纯(99.9%)的镁粉、氧化汞粉末及硼粉按 的饱和度,其中在Mg位的Al[3“51掺杂及B位的C【6’7】 掺杂可以达到较高的掺杂量,其它元素如Ag,Mn, Pb,Li,Ti,Zrp12】等均只能进行极少量的掺杂。在 高压方面的研究也多集中在纯的MgB2的超导转变温均为名义掺杂量,实际掺入量均小于或等于名义值。 度随压力变化的情况【13l,研究发现B原子之间的距离 将配比好的粉末在充有氩气的手套箱中研磨并充分混 直接影响着MgB2的超导转变温度。但是就目前的研合后压成直径为10mm和5mm柱状块,并分别置于 究情况来看,MgB2本身的结构可能是一种最优化的状密封的石英管和钼盒中。石英管中样品在常压850℃ 态,无论是化学掺杂效应还是高压都不能提高其超导 氩气氛中烧结lh,炉冷至室温;钼盒中样品在5.2GPa 压力下950℃烧结0.5 转变温度,只能在一定程度上提高其临界电流密度, h。由于样品中有HgO存在, 以增强其应用性能。 故需在原料中多加入适量镁粉以补充由于氧化形成氧 汞掺杂在高温氧化物超导体中的研究较多,且取 化镁杂质而消耗的镁粉。反应样品的相和晶体结构都

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