高质量InGaN多量子阱光荧光特性研究.pdfVIP

1 JJ26 第l’届全幽MOCVD学术会议论文集 』～州2007年1 H全29臼 03-032 高质量InGaN多量子阱的光荧光特性研究 陈鹏+，鲥自力，江若琏，韩平，刘斌，张荣，郑有蚪 南京大学物理系，江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京210093 (+Email：pchen@nju．edu．cn) 2．7纳米的高质量InGaN多量子阱结构。高分辨X射线衍射和透射电子显微镜测量表明，该量子结 构具有原子级平整的界面和严格重复的阱层和垒层厚度。变温光荧光研究表明，除基态跃迁外，在 阱中存在第一激发态跃迁。随着测量温度的降低，基态跃迁和第一激发态的跃迁可清晰分辨，能量 相差46meV。在77K变激发功率的测量中，基态跃迁和第一激发态的跃迁同样被清晰分辨。以上测 量和结果表明，在高质量的InGaN多量子阱中，产生明显量子限制的阱宽与氮化物激予直径相对应。 本实验研究的结果表明，对激子形成有效量子限制、实现高效率的发光的阱宽不应大于3．i纳米。 1、引言 GaN及其化合物的研究是目前国际上光电子材料、半导体物理领域中最引人关注，竞争最激 光器以来，GaN基化合物已成为蓝绿光发光、激发器件的首选材料，已取得了惊人的进步。蓝光GaN 激光器已实现室温连续激射，由蓝光：醛片和荧光粉组合而成的白光LED也已经广泛应用于实际照明 系统。而所有这些发光期间的核心有源区都是由InGaN量子阱构成的。虽然已经观察到InGaN材料 具有很高的发光效率，并且人们已对InGaN量子阱已经进行了深入的研究，但由于材料质量和生长 技术的限制，多科，因素阻碍了对其发光特性的深入了解，以至于对其高效率发光的原因至今存在争 议[4。7]。量子阱对其中载流子的量子限制效应本身可极大地提高符合效率。然而通常生长制备的 InGaN量子阱结构中大都存在大量的缺陷，以及空问组分起伏和界面不平整等现象。这些因素经常 导致行为怪异的发光特性，导致量子阱中的量子限制效应却很少被观察到。 本文通过在高质量的白支撑GaN衬底上，利用金属有机气相沉积(MOCVD)方法，在自支撑GaN 衬底上生长获得了阱宽为3．19纳米和2．7纳米的高质量InGaN多量子阱结构。通过变温及变激发功 率的光荧光实验，研究着两种阱宽InGaN多量子阱中的量子限制效应和量子阱的发光特性。 (o(degree) 图1．阱宽为2．7纳米的InGaN多量子阱的高分辨XRD测量结果。 图中标出的是量子阱结构的卫星衍射峰，以及卫星峰问的n一2个次级峰(n是多量子阱结构的 周期数，此处为4)。 2、实验 要通常的低温缓冲层，所以也就避免了缓冲层后三维到二维的生长转变。这样一步到位的二维生长 保证了及其平整的生长表面。使用的关键生长条件为：衬底温度780。C，源为高纯氨，三甲基镓和三 224 第}。矧全幽MOCVD学术会议论文集 广州2007年11J】26日至29日 甲基铟。生长获得了阱宽为3．19纳米和2．7纳米的商质量TnGaN多最子阱结构。量子阱周期数同为 。 4，各种源输入流量相同，仪改变阱的生长时间得到不同阱宽。 样品的晶体质量通过高分辨XRD和透射电镜(TEM)进行测量表征，样品的发光特性利用变温及 变激发功率的光荧光实验来研究。激发光源是He—Cd连续工作激光器，波长为325纳米，功率30mW。 3、结果与讨论 有使用强度倍增附件，测量得到的衍射计数不是非常高，但是从图中不仅仅可以看到量子阱结构的 卫星衍射峰，而且卫星峰间的n一2个欢级峰也可以清楚分辨(n是多量子阱结构的周期数，此处为4)。 次级卫星峰的出现表明结构界面是原子级平整的，并且阱层和垒层厚度是严格重复的。为进一步证 实结构中界面的平整度，图2是阱宽为3．19纳米的InGaN多量子阱的