功率VDMOS器件漏电流、热阻与软焊料空洞率的关系.pdfVIP

第38卷 第 1期 电 子 器 件 Vo1．38 No．1 2015年 2月 ChineseJournalofElectronDevices Feb．2015 TheRelationshipbetweenExcessiveLeakageCurrent ， LargeThermalResistanceandVoidsRate TAN Xi，PUNiannian ，XU Dongmei CUIWeibing ，WANGLei， ， ZHU Yupeng ，CHAIYanke ， (1-InstituteofMicroelectronicsofLanZhouuniversity，LanZhou730000，China；2．Huatianelectroniccompany，TianShuiGansu741000) Abstract：CommercializedVDMOSfailedtomeetdesignedvaluesformanyreasons ． Usua1Droblemsareexcessive leakagecurrentandlargethermalresistance．FailedVDM0SwascharacterizedusingX—RAY． SEM andEDS．The relationshipbetween excessiveleakagecurrent。lragethermalresistanceandvoidsratewasacquired ． frIleresults show leakagecurrentandthermalresistanceincreaseindirectproportiontovoidsratewhenvoidsratekeepsina low 1evel，whiletheratiochanges．Weattributethistodifferentdilatationcoemcientandthermalc0nductivityof eachmaterial，aswel1aslow thermalconductivityofair．Moreover．1argethermalresistancewillfacilitatemigration 0fAlandpollutedion．whichcausesincreasingleakagecurrentinturn． Keywords：VDMOS；excessiveleakagecurrent；largethemr alresistance；voidrate；X-RAY；SEM ；EDS EEACC：2570F doi：10．3969／j．issn．1OO5—9490．2015．01．009 功率 Ⅵ S器件漏电流、热阻与软焊料空洞率的关系水 谭 稀 ，蒲年年 ，徐冬梅 ，崔卫兵 ，王 磊 ，朱宇鹏 ，柴彦科 ，刘 肃 (1．兰州大学微电子研究所 ，兰州 730000；2．华天微电子股份公司，甘肃 天水74100) 摘 要 ：现在被广泛应用的VDMOS器件存在诸多失效模式，主要表现为直流参数大漏电和热阻过高问题，限制了器件应用。 通过对其失效器件进行 X．RAY、SEM、EDS分析表征得到相关规律。研究结果表明空洞率相对较小时，漏电流大小、热阻值高 低均与空洞率成正相关关系，只是随空洞率增长的趋势有所变化。构成器件的不同材料膨胀系数与导热率不同以及空气导 热率较低是空洞率引起热阻值改变的主要原因；高热阻加速了Al的电迁移和可动污染离子移动