不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应以和相关参数提取.pdfVIP

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2017-08-10 发布于安徽
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不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应以和相关参数提取.pdf

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微电子与电子器件技术不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应以及相关参数提取赵文彬1 陈慧蓉2章晓文3周川淼2于宗光2 ．? (1西安电子科技大学微电子学院，西安710071； 2中电科技集团第58研究所，江苏无锡214035； 3信息产业部电子第五研究所，广州510610) 摘要：热载流子是器件可靠性研究中的一个重要方面。特别对于亚微米器件，热载流子失效是器件失效的最主要一个方面。通过对这种失效机理及其失效模型的研究，为设计和工艺提供帮助，从而有效降低由热载流子引起的电路失效，提高工艺可靠性。本文主要针对几种典型工艺的栅氧厚度(例如：1’0x分别为150A、件下的寿命值，同时对亚微米工艺器件寿命进行快速评价。关键词：热载流子效应：栅氧厚度；模型参数；寿命 HotCarr．erE仟ectOfNMOSFETw．thDifferentGate Oxide Thickness：and ZhaoW．enbilllChen Xiaowenj Huiron∥zhang ZhouChun血aozⅥl Zongguangz (1MicroelectronicS 710071，China： schoolⅫ)ⅫUnivers时，Ⅺ’AN 2The58也researchinSdtIlteof CETC，Wu面214035，China； 3ne丘fthInstituteofMoma曲n 510610，China) Indus时Minis舡y，Guangzhou AbstraCt：Hot-carrieriSan iⅡdevice induced emph船is勰pectreUabm锣陀∞arch．Hot二camermosⅡy device forsub—micron is usefIdfor m蛆ufacturethe de肿dationespecially process．ItVery desi印姐dprocess by 0f锄ure IIlthis researchi】Ⅱg mechanismand脚deL di】晚rentl、MOS肼withdi】盹rent oxide paper，for gate thic虹ess，、Ⅳedidaccelerate at therelatedmodel thatha、吧 stI己ssinge印e而工屺ntsteadyprocessline．Using p撇etells been canestilnate也eli|．etiIneofth鼯edevicesatnormaLl conditio璐姐devaLluatethis pickedup，we working proce鼹’ hotc枷erefEect exacⅡy． of