薄膜体声波谐振器de电磁兼容性分析.pdfVIP

第37卷第 1期 压 电 与 声 光 Vo1．37No．1 2015年O2月 PIEZOELECTRICS AC0UST00PTICS Feb．2Ol5 文章编号 ：1004—2474(2015)01—0001—05 薄膜体声波谐振器的电磁兼容性分析 高 杨 ，周 斌 ，何 移 ，何婉婧 ，李君儒 (1．中国工程物理研究院 电子工程研究所，四川 绵阳621999；2．西南科技大学 信息工程学院，四川 绵阳621010； 3．重庆大学 新型微纳器件与系统技术 国防重点学科实验室 ，重庆 400044) 摘 要 ：随着薄膜体声波谐振器 (FBAR)工作频率及 FBAR器件集成度的不断提高，FBAR器件 的电磁干扰 问 题显得尤为突出。常用电学模型和有限元模型都假定 FBAR中的电磁场为无源准静态场，无法仿真模型的相关电 磁特性 。使用 HFSS高频电磁仿真软件建立 了FBAR的三维 电磁仿真模型，采用一个包含声场特性 的等效介 电常 数 ，实现了FBAR电磁场分布、电磁场耦合与压电效应 的一体化仿真 。分析 了高频 电磁场分布及 电磁场耦合对谐 振特性的影响，通过优化 FBAR与临近元件的间距及采用不同介 电常数的基板材料 ，减小了电磁场耦合的干扰。 关键词 ：薄膜体声波谐振器 ；电磁兼容 ；电磁场耦合 ；等效介 电常数 ；高频电磁仿真 中图分类号 ：TN713 文献标识码 ：A AnalysisofElectromagneticCompatibilityofThinFilm BulkAcousticResonator ， GAOYang，ZHOUBin ，HEYi。，HEWanjing ，LIJunru (1．InstituteofElectronicEngineering，ChinaAcademyofEngineeringPhysics，M ianyang621999，China； 2．SchoolofInformationEngineering，SouthwestUniversityofScienceandTechnology，M ianyang621010，China； 3．NationalKeyLab．ofFundamentalScienceofMicro／Nano—DeviceandSystem Technology， ChongqingUniversity，Chongqing400044，China) Abstract：W ith the increasing of resonantfrequency and integration ofthin film bulk acoustic resonator (FBAR)，theelectromagneticinterference(EMI)ofFBAR devicesappearstO beextremelyimportant．Theelectric fieldsofthecommonelectricalmodelandfiniteelementmodelareassumedtObequasi—staticandcannotsimulatethe electromagnetic(EM )property．A 3-D EM modelofFBARisestablishedbymeansofhighfrequencyEM simulation softwareHFSS．A integratedsimulationofEM distributedeffects，EM couplingandpiezoelectriceffectsisachieved byemployinganeffectivepermittivityintheEM mode1．TheeffectsofthehighfrequencyEM distributedeffectsand