RGTO+SnO2薄膜制备工艺和气敏特性研究.pdfVIP

RGTOSnO2薄膜制备工艺及气敏特性研究 张阳 何秀丽 高晓光 李建平 传感器国家重点实验室 （北方基地） 摘要：针对RGTOSnO2薄膜颗粒粒径较大的问题，通过对磁控溅射气压的控制，制备出了纳米粒径RGTOSnO2 薄膜，用SEM表征了其微观结构及形貌，计算了其粒径分布，研究了溅射气压对其形核及生长过程的影响，测试 了薄膜对乙醇的气敏特性。研究结果表明，改变溅射气压能够有效控制RGTOSnO2薄膜的粒径，这种控制主要发 生在形核阶段，是通过溅射气压对沉积速率的影响产生的；气敏测试结果证实了该纳米粒径敏感膜具有较高的 灵敏度和较快的响应恢复特性。 关键词：二氧化锡薄膜;纳米;RGTO;溅射气压;气敏特性 中国科学院电子学研究所2006年青年学术交流会 程中体积增加约35％，使得原来互相独立的小球相互接触，形成不规则的多孔薄膜。 溅射速率用本实验室的Alpha．st印500台阶仪标定，薄膜厚度由溅射速率和溅射时间来控 制。薄膜的微观结构与形貌用日立S一4000型扫描电镜(SEM)观察，其气敏响应特性由静态测 试系统测量，此系统由控制部分与气路、气室组成，采用单片机作为数据采集和控制的核心， 通过单片机与PC机通讯，将数据的存储、处理交给Pc机完成，载气为大气。实验部分涉及到 的沉积条件如表1所示。 表1制备Snot薄膜的工艺参数 3结果分析与讨论 3．1薄膜厚度对粒径的影响 根据薄膜生长理论，薄膜厚度的增加会导致粒子的继续长大，因此，可以用减小厚度的 方法来减小粒径。图1是采用表1中2、3两种沉积参数得到的厚度分别为150nm、80nm的 RGT0 sn02薄膜的扫描电镜图像。经测量，厚度为150nm的薄膜其粒径约为84nm，而厚度 为80nm的薄膜粒径仅约为47nm。 l+蕾 静。、1．9 J^：‘ p鎏，毒≮≥ 芝：!叠：』羔。：!!立￡．：二二巨擎黪篱 图1厚度分别为(a)150nm和(b)80nm的RGTOSnoz薄膜形貌 然而，薄膜厚度的减小会导致膜电阻的增加，对于RGTO Sn02薄膜而言，在厚度很小时， 颗粒间隙将会很大，此时的薄膜电阻也会很高。表2是不同厚度的RGT0 Sn02薄膜(沉积条件 如：袤l中的1所示)室温时的薄膜电阻。随着薄膜厚度的减小，薄膜电阻大幅度增加，当膜厚 度小于40nm时，其电阻会超过200M Q。鉴于此，本文通过改变对薄膜形核与生长有重大影 响的溅射气压来改变薄膜微观结构，从而达到减小粒径的目的。 表2不同厚度的薄膜电阻 RGllo RGlO sn02薄膜厚度(nm) Sn02薄膜电阻(MQ) 20 200 40 17．3 60 0．0416 80 0．013l 张阳何秀丽高晓光李建平：RGT0 sn02薄膜制备工艺及气敏特性研究 3．2溅射气压对沉积速率的影响 为了保证相同的薄膜厚度，标定了溅射系统在所需溅射气压下的溅射速率。图2是溅射 速率随溅射气压变化的曲线。随着溅射气压的升高，工作气体的电离几率增加，溅射速率提 高，但当溅射气压高到一定程度时，溅射出来的靶材原子在飞向衬底的过程中将会受到