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TC4钛合金上制备c轴取向AlN薄膜研究.pdf
第37卷第2期 压 电 与 声 光 Vo1．37No．2
2015年O4月 PIEZOELECTRICS8LACOUSTOOPTICS Apr．2O15
文章编号 ：1004—2474(2015)02—0280—03
TC4钛合金上制备 c轴取 向AIN薄膜研究
王 瑜 ，彭 斌 ，李 川，张万里，刘兴钊
(电子科技大学 电子薄膜与集成器件 国家重点实验室 ，四川 成都 610054)
摘 要：采用中频磁控反应溅射，提出了在 TC4钛合金基片上制备 c轴取向A1N薄膜的两步法工艺。利用扫
描 电镜分析(SEM)、X线衍射 (XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面及断面形貌 、晶体结构、表面粗糙度进行
了表征 研究结果表明，利用该文提 出的两步法工艺可在 TC4钛合金衬底上制备 出表面粗糙度为 2．3nm、c轴
XRD摇摆 曲线半高宽为4．1o的A1N薄膜 ，满足制作压电微机电系统 (MEMS)器件或薄膜声表面波 (SAW)和体声
波器件的需求 。
关键词 ：TC4钛合金 ；中频磁控反应溅射 ；两步法 ；A1N薄膜 ；声表面波(SAw)器件
中图分类号 ：TN384 文献标识码 ：A
StudyonPreparationofc-axisOrientationAIN Film Depositedon
TC4Titanium Alloy
WANG Yu，PENG Bin，LIChuan，ZHANG W angli，LIU Xingzhao
(StateKeyLab．ofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，
Chcngdu610054，China)
Abstract：A two—stepdepositionprocesshadbeenusedtodepositC-axisorientedA1N film onTC4titanium alloy
substratesbymid—frequencymagnetron sputtering．Thesurfaceand cross—sectionmorphologies，crystalstructure
andsurfaceroughnessoftheAlN filmswerecharacterizedbyscanningelectronmicroscopy (SEM)，X-raydiffrac—
tometry (XRD)andatomicforcemicroscope (AFM)．Theresultsshow thatthefullwidthathalfmaximum ofthe
X—raydiffractionrockingcurvesaroundc—axisandsurfaceroughnessoftheA1N filmsare4．1。and2．3nm respec—
tively，whicharepreparedontheTC4titanium alloysubstrateswiththeproposedtwostepdepositionprocess．The
preparedA1N filmscanbeusedtOfabricatepiezoelectricM EM Sdevices，film surfaceacousticwavedevicesandbulk
acousticwavedevices．
Keywords：TC4titanium alloy；MFmagnetronsputtering；two—stepdepositionprocess；A1N thinfilm ；SAW de一
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