高压变频器抗干扰的常用措施.pdfVIP

图3 6MBI75UA一120模块内部电路结构 器 ，结构特点是驱动单元内置，模块 内部电路可以是以上的任何一种电路 结 构 。 以 富 士 半 导 体 公 司 的 6MBPI~RA-060为例，图4为模块内 部电路结构，6个驱动单元内置，但 图4 6MBP100RA一060模块内部电路结构 需提供独立的驱动电源。 Vces无法测量。IGBT的控制导通与截 测Vces及IGBT的控制导通与截止特 3 IGBT功率模块故障判断方法 止特性可以采用如下办法：先将G，，S 性；在无 电源及控制信号时严禁在图 针对 以上不 同的IGBT模块结 间短路。而后释放，以确保G，，S间无 示仪上测Vces，因为此时相当于内部 构 ，故障判断测试可以简化为单个 电荷，将500型指针万用表的量程打在 IGBT的 “G，，S”间开路 ，用高压测 IGBT单元测试和单个IPM单元测 “1k”电阻档， “红”表笔接IGBT的 Vces极易损坏IGBT。 试，具体如下： “E”极 ， “黑”表笔接IGBT的 “C” (1)IGBT的主要测试参数 极，此时表指针应无摆动，指示 电阻 4 结束语 Vces：G，，S短路，IGBT的反向 值无穷大，再用手或其他导体将 “C” 以上文中叙述了IGBT模块的种类 击穿电压； 极与 G“”极短接后释放，指针表应有 及简易测试判断方法，这对于变频器 Cies：IGBT的G，，S间电容； 电阻值指示 ，且指示值应停住不动， 维护人员及使用IGBT的研发人员判断 FRD：IGBT的反并联二极管； 以上过程能证明IGBT的开通能力基本 IGBT模块故障及原因，提高维护及研 IGBT的控制导通与截止特性。 正常：此时再将G，，S间短路，表指针 发水平都是有益的。 (2)IGBT的主要参数测量方法 应回位，指示 电阻值无穷大，而后再 ·采用图示仪等仪器测量 释放G，，S间短路块，表指针应不动， 作者简介 Vces，Cies，FRD可以很方便的 仍然指示电阻值无穷大。以上过程毹 王映波 男 高级工程师，硕士， 测量，IGBT的控制导通与截止特性可 证明IGBT的关断能力基本正常。 多年从事 电气元件检测及电路研发工 以通过图示仪给出电压阶跃信号控制 (3)IPM的主要参数测量方法 作，现任武汉新瑞科电气技术有限公 IGBT的控制极而方便测量。 由于IPM内部含驱动单元，外部 司总经理 。 ·采用500型指针万用表等简易测量 无法得到 “G，”端子，因此，IPM必 Cies，FRD可以很方便的测量 ， 须在外加控制电源及控制信号后才能 参考文献 (略) 高压变频器抗千扰的常用措施 (1)高压变频器的E端要与控制柜及电机的外壳相连， (6)还可通过调整高压变频器的载频来改善干扰。频率越 要接保安地 ，接地电阻应小于 100Q，可吸收突波干扰。 低，干扰越小，但电磁噪声越大。 (2)高压变频器的输入或输出端加装电感式磁环滤波器。 (7)RS485通讯 口与上位机相连一定要采用光电隔离的传 平性并绕 3—4圈，有助于抑制高次谐波 (此方法简单易行， 输方式，以提高通信系统的抗干扰性能。 价格低廉)。 (8)外配计算机或仪表的供电要和高压变频器的动力装置 (3)上述磁环滤波器还可根据现场情况加绕在高压变频器 供电分开，尽量避免共享一个内部变压器。 控制信号端或模拟信号给定端的进线上。 (9)在受干扰的仪表设备方面也要进行独