电磁场 2.pptVIP

第2章 静电场 * * * * * * §2.1 自由空间中场的基本方程和特性 1. 静电场的基本方程 由 ，电场可以用一个标量场的梯度表示: 可见，静电场是有散场、无旋场。 2. 电场强度与电位 电场力将点电荷q 沿任意路径从P点移动到Q点所作的功为 由此定义PQ两点间的电位差（电压）为： 3. 电场的分布 点电荷的电场为： 多个点电荷的电场为： 线电荷的电场为： 面电荷的电场为： 体电荷的电场为： 如果以Q点为零电位参考点，则P点电位为： 如果以无穷远点为零电位参考点，则P点电位为： 点电荷的电位为： 多个点电荷的电位为： 线电荷的电位： 面电荷的电位： 体电荷的电位： 4. 电场线和等位面 E 线的定义:线上任一点的切线方向与该点的电场强度方向一致。 等位面: 5. 电偶极子 相距很小距离l 的一对等值异号的电荷，称为电偶极子. 偶极子的电矩，简称电偶极矩: 远离电偶极子的一点P(r,?,?)的电位: 其中: 故得 : 偶极子的电场 因为rl，将r1、 r2用二项式定理展开，略去高阶项，得 §2.2 导体和电介质 静电场中的导体处于静电平衡状态； 导体内部电场处处为零； 所有电荷分布在导体表面上； 1. 静电场中的导体 2. 静电场中的介质 介质极化现象(演示） 极化强度：介质极化后每单位体积内电偶极矩的矢量和，即 导体内部是等位体，导体表面是等位面； 导体表面的电场垂直于导体表面。 大多数介质在电场作用下产生极化时，其电极化强度P与介质中的合成电场强度E成正比，即 P = ?e?0E 体积元dV?内的等效电偶极子的电偶极矩∑p = P(r?)dV?，它在远区P点处产生的电位应为 体积V?内所有电偶极矩在P点产生的合成电位为 根据矢量恒等式 上式可表示为 由此定义极化电荷的面密度与体密度分别为 在引入极化电荷密度描述的基础上，类比于自由电荷产生的电场，极化电荷在真空中所产生的电场，可分别通过电位 ? 和场强E表示为 §2.3 电介质中的电场 1. 电介质中的高斯定律 电介质中高斯定理的微分形式为 上式可以转化为 由此定义电位移矢量 电介质中高斯定理的积分形式为 2. 介电常数 ? 击穿场强 对于均匀且各向同性的线性电介质 令 则有， 其中， 为相对介电常数，?为介电常数。 某种介质材料所能承受的最大场强就称为该电介质的击穿场强，或称为该材料的电介质强度。 3. 不同媒质分界面上的边界条件 (1)两种不同介质分界面上的边界条件 E 的切向分量满足的边界条件 或 D 的法向分量满足的边界条件 或 ? 若两种介质均为线性且各向同性，即D1=?1E1，D2=?2E2，应有?1=?1，?2=?2。两种介质分界面上通常不可能存在面分布形式的自由电荷(? = 0), ?两式相除，即得 介质分界面上的极化电荷 结合 折射率 (2) 导体和介质分界面上的边界条件 E2 ? 设导体为媒质1，介质为媒质2。在导体中，E1=D1= 0；分界面上的边界条件 (3) 由电位?表示的边界条件 对应 有 ； 对应 有 对应导体和介质分界面上的边界条件 §2.4 边值问题 1. 边值问题的分类 泊松方程和拉普拉斯方程 把 代入 得 对于均匀介质，? 为常数。再代入 得 对于场中无自由电荷分布(? = 0)的区域， 在直角坐标系中 定解条件 (1)给定的是场域边界S上的电位值，边界条件称为第一类边界条件，它与泛定方程组合成第一类边值问题。 (2)给定的是场域边界S上电位的法向导数值，边界条件称为第二类边界条件，它与泛定方程组合成第二类边值问题。 (3)给定的是场域边界S上电位及其法向导数的线性组合，边界条件称为第三类边界条件，它与泛定方程组合成第三类边值问题。 ? 如果场域扩展至无界空间，则还必须给出无限远处的边界条件。对于电荷分布在有限区域的无界电场问题，根据物理问题的本质，在无限远处(r→?)应有 这表明r? 在无限远处是有界的，即电位 ? 在无限远处为零(?(r)| r→?= 0)。 2. 静电场解的唯一性 设V 中存在两个电位函数 ?1和?2 ，在给定第一类或第二类边值时，均满足泊松方程，即 令 ?1-?2 = ?d，显然 对已知的任意两个连续可导的标量函数 ? 和 ? ，应有 令 ? =? = ?d ，代入上式得 无论对于第一类边界还是第二类边界，均有 在整个场域内必有 ?d = 0。由此得证 ?1 = ?2 ，即只有唯一可能的解答。 3. 直接积分法 例： 二块半无限大的导电平板构成夹角为 ? 的电极系统，设板间电压