氮化镓基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化.pdfVIP

l十l■★■R●-●■％。tl■-．1lt●^●l●4 氮化镓基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化 魏启元李倜王彦杰陈伟华李睿潘尧波徐科章蓓杨志坚 ? 胡晓东 北京大学竞禁带半导体研究中心 北京大学物理学院100571 摘要：奉文研究了包括四元台金在内的三种多量予阱结构，对以此为有源詹的擞光器进行了性能表征和比较分析．通过对闻值电流 和外微分量子教聿的测量，以及增益丹布的模拟分析，．证实了四元音金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用．此外对于优 化的量子瓣结构激光器，我们还对其漏电流和增益饱和带来的影响进行了研究． Abi嘣：For血c of cb舡扯t町讧6c aud“k删 q哪咖ary姐dkf啮rym10y鹅删vere,onLDs，thckcy including也嘲hoⅪCulTent 95the di彘r训缸quautmme蚯d血口ofLDssmple8was缸俩g咖4柚wellgain couldbest：rib,acd∞the pininLDa． 关键词：氰化镓激光=极臂量子阱多元合盎增益 1． 引言：世界上第一只连续激射的InGaN／OaN多量子阱(MQW)半导体激光器(LD)问世己 近十年，但是i目前在GaN基LD的研究和开发中依然面临不少的物理问题和技术难点。量 子阱的结构优化和性能表征就是其中受人关注的课题之一。 多量子阱作为LD的有源发光层，其结掏参数．包括阱数、阱宽和元素组分决定了量子阱 的能带结构和电子态，对激光器的性能有决定性的影响“j。为了研究量子阱结构参数与LD宏 观光电学性能的关系，我们设计了三种不同结构的多量子阱，而保持非有源区结构参数相对 稳定一致，对LD器件进行了功率一电流∞．I)和电致发光(EL)谱等方面的测量分析。以期通过 比较不同结构下器件的性能，实现对激光器结构评估的评估和优化。 2， 实验：本文中使用的样品均为蓝宝石村底上用金属有机化合物气相沉积方法(MOCVD) 生长的LD结构外延片，以AIGaN作为波导层，以A1GaN／GaN超晶格结构作为覆盖层。LD 器件制备如P型电极和解理镜面等均使用固定的工艺技术． 我们研究了三种不同多量子阱结构LD，样品一为四元合金AllnGaN／A1InGaN多量子阱， 样品二和样品三均为三元合金InGaN／GaN多量子阱。运用半矢量方法模拟分析了它们各自的 光场分布并具体计算了它们的限制因子，分别为O．0442，O．0443和0．0,：139，由此近似认为波导 层等部分对LD中光场的限制作用是相同的，所以作为分别限制异质结构(sc团的LD，其性 靛主要受提供载流子限制的MQW结构的影响。 3．结果和讨论：LD的激射阈值电流和外微分量子效率是最重要的评估参数。我们通过L --I和EL谱的共同测量确定激射阅值电流。在L．I曲线的测量中，使用脉冲电源以避免内部 热效应，采用积分球系统以保证阈值以下对LD在各个方向发散的自发辐射能够被全部采集。 值以上斜率基本不变，对应了激光器自身固定的外微分量子效率。阈值由L．I曲线和EL谱测 量共同确定。如从图l中可见800mA时LI斜率突变。EL谱线宽明显减小，800mA即判定为 闽值电流。 tn．辱，|l山口uI∞*一‘∞InL ． 瞳I激光嚣样品l的LI圈(ZE)和EL谱(右) 待测的三种不同量子阱结构的激光器样品的闽值Im和外微分量子效率仉比较如表一所列 表一三种不同量子阱结构样品性能比较 2 Sample3 Samplel Sample Active AIhlGaN／AIInGaNInGaN／lnGaNhGaN／InGaN region 10 20