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IC 封装工艺过程的质量影响因素初探* 刘长宏，高健，陈新, 郑德涛 （广东工业大学机电工程学院，广州市东风东路729 号 510090 E-mail: gaojian@gdut.edu.cn) 摘要：微电子制造正朝着高性能和绿色的方向发展，使得微电子制造成为一个高维非 线性复杂耦合过程。封装过程中的各工艺参数的设置和控制将直接影响芯片封装的质量。 此外，由于封装工艺参数间存在耦合关系，增加了质量控制的难度。深入研究芯片封装过 程中的质量影响因素与机理，了解和掌握封装过程参数、参数与参数间相互耦合、干扰问 题，对封装工艺参数的合理设定、封装质量和合格率的提高起着重要的作用。本文对目前 国内外的粘片和引线键合研究情况进行了较为深入地调研，分析了粘片（Die Attach ）和引 线键合（Wire Bonding ）工艺中影响质量的相关工艺参数及其间耦合关系，为进一步研究封 装过程多因素影响规律、动态建模和实时监控奠定了基础。 关键字：粘片；引线键合；工艺参数；键合质量；参数耦合 1 引言 随着高新技术的发展，IC 器件在各个领域的应用越来越广泛。对微电子和光电子封装 工艺的质量及其检测技术提出了更高的要求。如何实现复杂封装过程的工艺稳定、质量保 证和协同控制变的越来越重要。目前，国外在微电子封装装备生产中占有主导地位，他们 对粘片、引线键合等工艺涉及的大量工艺参数控制和精密机构控制问题已有较为深入的研 究，并且在参数敏感度和参数重要性的排列已经有了共识，但其技术对我国实施封锁。我 国在微电子封装领域的研究起步晚，对微电子封装中的一些关键技术掌握得不足，缺乏相 关工艺参数的研究积累，因此有必要深入研究封装工艺过程，掌握其间的关键技术，自主 研发高水平封装装备。本文将对芯片封装过程中的粘片、引线键合工艺过程展开研究，分 析影响其质量的关键工艺参数，力图为后续的质量影响规律和控制奠定基础。 * 项目资助：广东省科技攻关项目，项目编号：2005；粤港关键领域招标项目，项目编号：2004 高 等学校博士学科点专项科研基金，项目编号：20040562005 2 芯片粘贴（Die Attach）工艺 粘片作为芯片封装的头道工序，随着芯片尺寸的缩小，成为封装行业越来越关心的问 题。粘片过程中，吸嘴运动机构和顶针机构配合完成从晶片上吸起芯片，移动到载体正上 方，垂直放置并完成键合，即拾取、移动、键合三个过程。粘片不仅为芯片提供机械连接 和热传导，还提供电气绝缘或电气连接。粘片工艺可概括为低熔点焊接法和树脂粘贴法两 大类[1] 。 低熔点焊接法主要为金－硅共晶焊接。在此工艺中，载体加热到金硅合金的熔点380 ℃，与镀金膜的芯片背部接触，金膜熔化和硅表面形成共晶，冷却后与载体形成牢固的焊 接界面。因金-硅共晶焊接法具有机械强度高、热阻小、稳定性好、可靠性高等优点而广泛 使用。此外软钎料（Pb/Sn 或Pb/In/Ag ）焊接因抗疲劳性好则常用于功率器件的粘片工艺。 树脂粘贴法是采用粘合剂在芯片和载体之间形成一层绝缘层或者添加金属形成导电 层。常使用添加银粉的环氧树脂。工艺中，先用针形点浆器或表面贴印法在载体的粘片区 沉积一层树脂，再将芯片垂直挤压在树脂上，最后经快速固化或烘箱固化。树脂在高温下 易分解，导热性、机械强度远不如共晶焊接，因此多用于集成电路和小功率器件。 2.1 位移误差和偏转误差 定位平台的精密度是影响位移误差的首要因素。如滚珠丝杠副的误差、导轨的误差、 热变形误差等。偏转误差受定位轴垂直度、机械振动、工艺参数等影响。Han-Xiong Li 等[2] 发现吸嘴、芯片和顶针的部分未对准是导致拾取过程中芯片旋转的主要因素；外部受力不 平衡是移动过程中导致芯片旋转的主要原因。王效等[3]采用对MOUNT Z 量、真空破坏量 和荷重弹簧的载重等工艺参数进行优化的方法，减小了芯片的旋转角度。 2.2 粘结强度 影响键合强度的因素有很多。在低熔点焊接法中，有键合温度、压力的均匀，共晶厚 度与尺寸、产生空洞与否；在树脂粘贴法中，其影响因素则与树脂的浓度、配方、点胶量 大小，固化工艺参数有关。 粘结层的厚度、界面空洞受多因素影响，主要与焊接面洁净度、平整度、有无氧化、 工艺参数、芯片蒸金质量等有关。S. Atkins 等[4]用C-SAM 观察了TO-220 封装solder 层， 发现很有可能是表层的氧化物在