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直流磁控溅射制各氧化钒(Vex)薄膜
李华高1．扬子文-。刘爽。
(I．重庆光电技术研究所，重庆．400060：2．电子科技大学，成都，610050)
摘要：本文对直流磁控反应溅射制备氧化钒薄膜进行了研究：用转靶x射线衍射(XRS)．X
光电子能谱(Ⅺ’s)对薄膜的维掏，组分进行了测试．实验鳍果表明：徊备条件(衬底温度、反应
气体比、靶与衬底的间距、磷控溅射功率等)影响氧化钒薄膊的结构和性娩．氧化钒薄膜的结构，
组分决定了薄膜的电阻温度系数(代R)。给出了反应溅射糊譬性能优良的氯化钒热敏材料的典型工
艺条件。
关键词： 反应溅射； 氧化钒薄膜：电阻温度系数(TCR)；
电阻式测辐射热计(Boiometer)
of
vanadiuhI reactive
Preparation oxide(VOxlby
d．c．magnetron
sputtering
technique
LI Zi-ven‘，LIU
Bua-gao‘-YANG Shuan92
Research
(I．Chongqingoptoelectronics
ofElectronicScienceand of
2．university Technology
ofvanadiumoxidefi％m d．c．reactive has
Abstract：Preparation by magnet-on been
sputtering
studied．The
formedfirmw岱characterizedXRDXPSand that
by SEM．W电悖iu憾IfIdicate
Composition
and ofv蚰edium 013 substrate
oxide(vOx)films
properties dependsdepositionconditions(the
temperature．
distance the
betw∞nsubstrate
mixture，the andV·metaI t0the
gas ta学t，the·d．C．power
supplied
determined of
Coefficient
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