质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性.pdfVIP

乡 中国电工技术月卜阅卜电办电子学会常八 心论交鑫 质子辐照用于改善大功丰快速晶问管 的特性 张昌利 金银东 金相哲 宋根浩 金南均 韩国电气研究院(韩国641-600) 王正鸣 陆剑秋 张建平 李建华 西安电力电子技术研究所(西安 710061) 朱佳政 杨丙凡 胡选文 中国原子能科学研究院(北京 102413) 摘 要:采用3.7MeV-5.9MeV质子辐照对500A,1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制。对质子辐照在器件中的缺 陷深度进行了TRIM模拟。对通态电压V，和关断时间t。的折衷关系进行了研究，确定了最佳的质子辐照能量.4.7MeV的质 子辐照峰值缺陷位于快速晶闸管的N基区中间，可获得最佳的通态电压和关断时间的折衷。 关键词:晶闸管 少子寿命 质子辐照 Cc.LL.Zzhha.ng:e。ttall，aPr‘erwotitohnKoIrreraEadlecirattotioecnh霖黯rInosvtiteudteFK(aEsRt-I)S,Cwhaitncghwoinng,6T41h-6y0r0,isGtyournsgnam,SouthK。二。 E-mail:幽ang_cl(d,ema,为议皿 Z.M.WangetallarewithVanPowerElectronicsRes.Institute(PERI),Xian,710061,Shaanxi,China E-mail:wzheng-ming@ l.Z.ZhuetallarewithChinaInstituteofAtomicEnergy(CIAE),P.0.Box275-62,Beijing,102413,China E-mail:zhujz@ Abstract:-Thelocalcarrierlifetimeconrtolfor500A/1600Vfast-switchingthyristorswasachievedby3.7-5.9McVprotonirradiation ThepeakdepthofdefectinducedbyprotonindevicewassimulatedbyTrimsimulation.Theoptimizedtrade-offrelationbetween on-statevoltageV}andturn-offtime与hasbeenobtainedvia4.7MeVirradiationwhichpeakdefectlocatedinthemiddleofN-base Keywords:Thyristorcarrierlifetimeprotonirradiation 能量的质子辐照对比，用TRIM模拟对质子辐照的 1 引 言 缺陷深度作了分析。4.7MeV质子辐照的缺陷峰位 于N基区中央，能获得最佳的通态电压V,a和关断 众所周知，高能电子辐照能在硅的禁带引入 时间t。的折衷关系。 缺陷能级从而使硅中的少子寿命下降。目前，5^- 2 实验研究 12MeV的电子辐照技术己经广泛的应用到大功率 快速二极管、品闸管、MOSFET.SIT,GTO和IGBT 2.1快速晶闸管和质子辐照 等电力半导体器件的少子寿命的控制中。然而， 该实验采用了西安电力电子技术研究所生产 电子辐照对硅片的强烈穿透性使得难以实现在硅 的直径D(45mm额定容量为500A,1600V快速品闸 片纵向局部少子寿命的控制。对高能质子辐照硅