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第19卷第5期 传感技术学报 V01．19No．5
CHINESE OFSENSORSANDACTUATORS
2006年10月 JOURNAL Oct．2006
Theoreticalon Silicon
StudyPhoto-Induced-Deforming
GU_0
Yk—lin，XU(施一cheng，ZHOUJia。，HU_ANGⅥ一ping，BAOMin—hang
(ASICandNational 200433，China)
System KeyLab，DepartmentofMicroelectrics，FudanUniversity，Shanghai
of effectonsilicon iS onfundamentalme—
Abstract：Theoryphotostriction microcantileversstudied．Based
chanicsandsemiconductor andsurface of
the distribution
physics，andconsideringspatial
builda newmodel microcantileversandeal—
carriers，we for ofsilicon
photoinduced photo-inducedbending
culationofthe deformation，Themodel the of
photo-induced interpretsmotivityphotoinducedbending
more thanformer addition，resultsworkedoutfromthemodel to
reasonably reported．．In
the valuesmuchbetter．Thisestablishesthetheoreticalforresearchesofsilicon
experimental study ground
microcantileversensorsbasedon effect．
photostriction
Keywords：photostriction
effect；microcant订evers；bending
EEACC：2575D
光致硅微悬臂梁形变理论研究
郭育林，许谷城，周 嘉+，黄宜平，鲍敏杭
(复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系，上海200433)
摘 要：研究了硅悬臂梁的光致应变效应的基本理论．从力学和半导体物理学基本理论出发，考虑了光生载流子的空间分布
以及载流子表面复合，提出了一种新的光致悬臂粱弯曲的模型和计算光致应变效应引起的悬臂梁弯曲量的方法．模型更为合
理的解释了光致悬臂梁弯曲的根本动力，其计算结果和实验测量结果与文献报道相比更为接近．研究为基于光致应变效应的
硅悬臂粱传感器打下了理论基础．
关键词：光致应变效应；微悬臂梁；弯曲
中图分类号：TN362 文献标识码：A
微悬臂梁是M
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