Si衬底上MOCVD外延生长GaN的导电特性的研究.pdfVIP

Si衬底上MOCVD外延生长GaN的导电特性研究 倪毅强 贺致远 钟健 杨帆 姚尧 向鹏 张佰君 刘扬 中山大学物理科学与工程技术学院，广州 510006 摘要：本文对Si衬底上插入了低温AIN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究，并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导 电现象。针对该现象，对比具有不同结构的样品进行研究。通过SIMS和变温Hall测试分析，P型现象主要是由于外延生长时高 温AIN中的A1原子扩散进Si衬底所导致的。同时还观察到了低温AlN插入层存在低阻特性使得该结构在低温下(50K)存在导 电类型从P型转化为N型的现象。 关键词：GaN；Si衬底；低温AIN插入层；P型导电现象；变温Hall InvestigationofelectricalpropertiesofGaNGrownbyMOCVD onSiSubstrate YaoYao YiqiangNiZhiyuanHeJianZhongFanYang PengXiangBaijunZhangYangLiu SunYat-senUniversity,Guangzhou,510006,China Abstract:AP-typeconductionphenomenonwasobservedinGaN/Siepi-structurcwithLow-temperatureAINintedayers,whichwas mainlyduetotheAIatomdiffusionintoSisubstratethroughtheSIMSandtemperaturedenpendentHalltest.Wehavegrowndifferent samplestostudythisphenomenon.Thesep-typedopingseemstoinfluencetheresistivepropertiesofGaNgrownaboveit.Meanwhile,A lowconductionproperlyofLT-AINwasobservedwhichcausedtheconductivetypetransformationatlowtemperature(50K). Keywords:GaN；Sisubstrate；LT-AINinterlayers；P-typePhenomenon；temperature-dependentHallmeasurement 第十七I全啊化’分特半}体、饿波器件和光电■l件掌术专议 本文利用Aixtron金属有机化学气相沉 同时，对四组样品进行常温Hall测试(如 11)衬底(电表1所示)，可以看到所有的GaN／Si样品都 积设备(MOCVD)在高阻Si(1 显示出了P型载流子导电类型，而蓝宝石上 阻率104fff[Z])上外延生长了A、B两个系列 共4组样品，如图l所示。A系列样品中A1GaN样品则表现出N型导电类型。同时A1、 直接在Si衬底上生长一层20nm的高温(HT) A2、B样品的方块电阻要比A3高出3倍以上。 AIN层。A2样品则在A】的基础上再外延一层而A3样品表现出较高的导电特性(667D．／12)， 800nm的非故意掺杂U—GaN层。A3是在Si该结果与基于A3结构制作的器件测试结果 相矛盾。 衬底上外延近2pm的U．GaN，并通过在 U．GaN中引入两层低温AIN应力缓冲层来获我们认为这是因为电流并非只经过上层 得光滑无龟裂表面。B样品则是在蓝宝石衬 GaN，而是贯穿整个外延层(见图2中1-4 底上外延生长3000nm的U．GaN外延层。四通道)例如U’-砧N层以及Si衬底与HT-AlN 组样品表面均光滑无龟裂。 的界面层。这样所测得的方块电阻应该是综 合以上所有电流计算而来的平均指标。 3结果与讨论