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74 第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会论文集
束流发射度对太赫兹折叠波
导行波管性能的影响分析牢
张芳1,2+董志伟1,2董烨1,2孙会芳1,2杨温渊1,2
(1.北京应用物理与计算数学研究所,北京100094;
2.中国工程物理研究院太赫兹研究中心 四川 绵阳621900)
摘要研制太赫兹折叠波导行波管放大器时,器件尺寸处在亚毫米量级甚至更低,而且随着
频率的升高,器件尺寸会进一步缩小,因此为了保证束流的高流通率和束波转换效率,除了需要提
高束流密度以外,还必须对束流的品质加以限制,即对束流的横向发射度提出苛刻的要求。本文采
用理论分析与数值模拟相结合的方法,分别对140GHz、220GHz和345GHz折叠波导行波管中的束
流发射度的影响因素及其对直流导通率的影响进行了分析研究,总结了发射度随频率、结构参数和
电子束参数的变化规律。研究发现,在太赫兹频段束流发射度直接决定着聚焦磁场的选取设计。
关键词 太赫兹折叠波导行波管发射度
1 引言
太赫兹(Terahertz,THz)波是指频率从0.1THz到10THz的电磁波,它介于技术发展相对成熟
的微波毫米波和红外可见光之间,处于宏观理论向微观量子理论的过渡区。作为一个新的频段资源,
太赫兹波技术在众多领域都具有潜在的应用前景。由于太赫兹比微波波长短、带宽较宽,用于雷达
可以实现探测更远、更小目标及获得更高分辨率,用于通信可大大提高比特率,而且随着以电子信
息技术为核心的现代信息化社会的到来,信息在人们日常生活中的作用会越来越大,人们必然会不
断追求更快的信息传递速度、更宽的信道、更大的容量,而太赫兹频段的开发则可以满足上述要求。
因此太赫兹在高速数据通信、高分辨率雷达探测、空间技术、医学、生物等方面都具有重要的应用
价值。
目前国际上对太赫兹辐射源的研究主要集中在从低频段采用电子学途径和高频段采用光子学途
径向太赫兹波段拓展推进。尤其随着微细加工技术、材料科学以及真空电子学的不断进步,利用电
子学途径、借助微机电系统技术(mico—electro.mechanical
systems,MEMS)从微波毫米波频段向太
赫兹频段推进以获取宽带太赫兹辐射源已经成为当前国际太赫兹研究的热点之一。微电真空行波管
放大器具有高功率、宽频带、高效率等优点。近年来,随着微细加工技术的不断发展,行波管高频
结构可以采用微细加工的方法完成,从而使得行波管可以拓展到太赫兹频段低端。
与在微波毫米波波段研制辐射源时对束流聚焦主要考虑束流的空问电荷力,即束流电荷自身的
+基金项目:中国工程物理研究院太赫兹科学技术研究中心项目,国家高技术发展计划项目。
+作者简介:张芳(1984一),女,助理研究员,从事太赫兹源器件研究;fangzhan9328@163.com。
第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会论文集 75
横向排斥力不同,在研制太赫兹折叠波导行波管放大器(器件尺寸在亚毫米量级甚至更低)的过程
中发现,随着频率的升高,器件尺寸缩小,所需束流密度提高,要保证束流的高流通率和束波转换
效率,不仅必须克服束流的空间电荷效应,而且还对束流的准直度提出了很高的要求,即对束流品
质(主要是束流的横向发射度)提出十分苛刻的要求。
束流发射度参数直接决定了聚焦磁场的设计,在微波频段,聚焦磁场主要是用于约束束流的空
间电荷力。在光学频段,例如在自由电子激光中,聚焦磁场主要是用于约束束流因发射度而导致的
弥散,而在太赫兹频段则需要综合考虑这两方面的因素。针对空间电荷力和发射度两个方面对聚焦
磁场的要求及束流稳定传输性来看,在太赫兹频率的低端,空间电荷效应仍占主要地位,可是随着
太赫兹频率的不断提高,束流的发射度的作用急剧提高。所以,针对太赫兹频段,在器件的结构设
计、聚焦磁场设计及其束一波互作用性能研究等方面,都需要提前对束流发射度进行研究。
电子枪作为束波互作用区的源器件,其产生的束流品质必须满足束.波互作用的要求,通过研究
流通管对束流发射度的要求,可以为电子枪的设计提供束流技术指标。
2发射度理论
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