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Microstructureandelectricalpropertiesof
sol-gelderivedNi-dopedCaCu3Ti4O12ceramics
ZHANGCheng-hua1,2,3,4,5ZHANGKe1,5XUHong-xing1SONGQi1,5YANGYong-tao1,6
YURen-hong1,6XUDong1,2,3,4,5,CHENGXiao-nong1,5
1.SchoolofMaterialScienceandEngineering,JiangsuUniversity,Zhenjiang212013,China;
2.KeyLaboratoryofSemiconductorMaterialsScience,InstituteofSemiconductors,
ChineseAcademyofSciences,Beijing100083,China;
3.StateKeyLaboratoryofElectricalInsulationandPowerEquipment,XianJiaotongUniversity,
Xian710049,China;
4.StatekeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices,
UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610054,China;
5.ChangzhouEngineeringResearchInstituteofJiangsuUniversity,Changzhou213000,China;
6.ChangzhouMingErruiCeramicsCo.,Ltd.,Changzhou213102,China
Dielectricpropertiesandvaristorperformanceofsol-gelpreparedNi-dopedcalciumcoppertitanateceramics
(CaCu3NixTi4O12+x,x=0,0.1,0.2,0.3)wereinvestigated.SEMandXRDwereusedinthemicrostructuralstudiesofthespecimens
andtheelectricalpropertieswereinvestigatedforvaristors.XRDpatternsshowthattheCCTOceramicsweresinglephasewithno
Cu-richphase.SEMresultsindicatedthatthesampleshadsmallergrainsizesthanthosesynthesizedbytraditionalsolid-state
reactionmethods.Theexperimentalresultsshowthatthehighestdielectricconstantandlowerdielectriclossoccurwhenx=0.2.
Whenx=0.3,thelowestleakagecurrentisobtainedandthemaximumvaluereaches0.295;meanwhile,thelowestthresholdvoltage
andnonlinearcoefficientarefound,theminimumvaluesofthemare1326V/mmand3.1,respectively.
CaCu3Ti4O12;sol-gel;capacitors;memorydevices;electricalproperties;microstructure;phasetransition
s128 ZHANG al／Trans．NonferrousMet．Soc．China
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