2×64元双色红外焦平面探测器的研究.pdfVIP

严 um． 25-m金丝对焊．两列探测器光敏面之间的距离200 三．工艺研究 在获得了具有一定!生能的中 长波探测器芯片后，工艺中重点进行了低损伤划片与高j 彦蔷前准工艺实验。庄以往的探嬲器研制早．勾了保汪划片不对探测器韵光敏元造成损伤{ pm由于双笆器件是采用两种不同{ 胡其性能，通常划片线与光敏面二二闽的距离均犬于500 翁芯片拼接而成，为了满足整机扫描使‘目要求并考感到两种芯片的拼接对准问题t需要相茹 交元较近距离的划片，以使两个波段的光敏元l葡距较小。为了确定划片对光敏元的损伤程层 进行了一系列划片工艺试验，试验方法如下：划片前在砥温探针下测量每个光敏元的V-I鹳 曲线并记录F开路电压和反向漏电流，划片后再重复此步骤．比较并统计出性能下降的光《 ．比洌。试验结果表明，光敏元性能的损伤与划片间距、进刀速度等参数有关，目前初步确i p 工艺数据可以保l正当划片线距离光敏面?5m时，性能下降的光敏元比例不超过5％。 划片后的拼接主要采用了冗名框架上设计出对准标记，然后结合