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热处理对Ta_Ni_0_65_Co_0_35_薄膜微结构和磁电阻性能的影响.pdf
第 31 卷 第 3 期 北 京 科 技 大 学 学 报 Vol . 31 No. 3
2009 年 3 月 Journal of University of Science and Technology Beij ing Mar. 2009
热处理对 Ta/ Ni0 65 Co0 35 薄膜微结构和磁电阻性能的
影响
1) 1) 1) 2) 2) 1)
王立锦 陈连康 郭 歌 王云蛟 于亚多 于广华
1) 北京科技大学材料科学与工程学院 , 北京 100083 2) 河北师范大学物理科学与信息工程学院 , 石家庄 05003 1
摘 要 选用磁致伸缩系数接近于零的软磁合金 Ta/ Ni0 65 Co0 35 作为磁敏感层 ,研究了热处理对 Ta/ Ni0 65 Co0 35 薄膜织构 、磁
学性能和磁电阻性能的影响. 制备了Barber 电极结构的磁电阻元件 ,对磁电阻元件的输出特性进行了测试. 结果表明:真空
( )
退火可以有效降低薄膜内的应力和杂质缺陷 ,使晶粒尺寸增大 ,晶界对传导电子的散射减少 ,各向异性磁电阻 AMR 值提高 ;
真空磁场退火有利于提高薄膜的单轴各向异性 ,使薄膜的AMR 值和磁传感器元件的灵敏度增加.
( )
关键词 各向异性磁电阻 AMR ; 薄膜材料 ; 织构 ; 传感器 ; 灵敏度
分类号 TM 27 1+ 2 ; O484 4 + 3
Eff ects of heat treatment on the microstructure and magnetoresistance properties
of Ta/ Ni0 65 Co0 35 f il ms
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1 1 1 2 2 1
WA N G L ij in , CH EN L iank ang , GUO Ge , WA N G Yunj iao , Y U Yad uo , Y U Guanghua
1) School of Materials Science and Engineering , Univer sit y of Science and Technology Beijing , Beijing 100083 , China
2) School of Physics Science and Information Engineering , Hebei Normal Univer sit y , Shijiazhuang 05003 1 , China
ABSTRACT Soft magnetic alloy Ta/ Ni0 65 Co0 35 films , whose magnetostriction coefficient is close to zero , were selected as sensitive
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